デバイス結晶材料およびナノ構造体の表面解析に関する研究

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ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
22968_要旨	pdf	738 KB	32	要旨/Abstract
22968_論文	pdf	3.68 MB	306	論文/Dissertation

タイトル	デバイス結晶材料およびナノ構造体の表面解析に関する研究
タイトル (ヨミ)	デバイスケッショウザイリョウオヨビナノコウゾウタイノヒョウメンカイセキニカンスルケンキュウ
著者	首藤, 浩文首藤, 浩文
著者の別表記	Suto, Hirofumi
著者 (ヨミ)	ストウ, ヒロフミ
キーワード等	イオン散乱
	CAICISS
	STM
	ZrB2
	LPE成長GaN
	Geナノ結晶
	MnSi
	CNT
	電界電子放出
	イオンゲージ
著者所属研究科	工学
専攻	電気電子情報工学
学位名	博士（工学）
学位授与年月日	2009-03-24
学位授与機関	大阪大学
学位授与番号	14401甲第13457号
学位記番号	22968
URL	http://hdl.handle.net/11094/1015
言語	日本語
カテゴリ	博士論文本文あり / 工学研究科 / 2008年度
カテゴリ	博士論文 / 工学研究科 / 2008年度

著者版フラグ	ETD
NII資源タイプ	学位論文
ローカル資源タイプ	博士論文本文あり
ローカル資源タイプ	博士論文
dcmi資源タイプ	text
DC.title	デバイス結晶材料およびナノ構造体の表面解析に関する研究
DC.creator	首藤, 浩文
DC.creator	Suto, Hirofumi
DC.language" scheme="DCTERMS.RFC1766	日本語
DC.identifier" scheme="DCTERMS.URI	http://hdl.handle.net/11094/1015
DC.subject	イオン散乱
	CAICISS
	STM
	ZrB2
	LPE成長GaN
	Geナノ結晶
	MnSi
	CNT
	電界電子放出
	イオンゲージ
DCTERMS.issued" scheme="DCTERMS.W3CDTF	2009-03-24
citation_title	デバイス結晶材料およびナノ構造体の表面解析に関する研究
citation_author	首藤, 浩文
citation_language	日本語
citation_public_url	http://hdl.handle.net/11094/1015
citation_keywords	イオン散乱
	CAICISS
	STM
	ZrB2
	LPE成長GaN
	Geナノ結晶
	MnSi
	CNT
	電界電子放出
	イオンゲージ
citation_date	2009-03-24