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(
2021-01-21
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22968_要旨
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要旨/Abstract
22968_論文
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3.68 MB
264
論文/Dissertation
論文情報
タイトル
デバイス結晶材料およびナノ構造体の表面解析に関する研究
タイトル (ヨミ)
デバイスケッショウザイリョウ オヨビ ナノコウゾウタイ ノ ヒョウメンカイセキ ニ カンスル ケンキュウ
著者
首藤, 浩文
首藤, 浩文
著者の別表記
Suto, Hirofumi
著者 (ヨミ)
ストウ, ヒロフミ
キーワード等
イオン散乱
CAICISS
STM
ZrB2
LPE成長GaN
Geナノ結晶
MnSi
CNT
電界電子放出
イオンゲージ
著者所属研究科
工学
専攻
電気電子情報工学
学位名
博士(工学)
学位授与年月日
2009-03-24
学位授与機関
大阪大学
学位授与番号
14401甲第13457号
学位記番号
22968
URL
http://hdl.handle.net/11094/1015
言語
日本語
カテゴリ
博士論文 本文あり / 工学研究科 / 2008年度
博士論文 / 工学研究科 / 2008年度
論文詳細を表示
著者版フラグ
ETD
NII資源タイプ
学位論文
ローカル資源タイプ
博士論文 本文あり
博士論文
dcmi資源タイプ
text
DC.title
デバイス結晶材料およびナノ構造体の表面解析に関する研究
DC.creator
首藤, 浩文
DC.creator
Suto, Hirofumi
DC.language" scheme="DCTERMS.RFC1766
日本語
DC.identifier" scheme="DCTERMS.URI
http://hdl.handle.net/11094/1015
DC.subject
イオン散乱
CAICISS
STM
ZrB2
LPE成長GaN
Geナノ結晶
MnSi
CNT
電界電子放出
イオンゲージ
DCTERMS.issued" scheme="DCTERMS.W3CDTF
2009-03-24
citation_title
デバイス結晶材料およびナノ構造体の表面解析に関する研究
citation_author
首藤, 浩文
citation_language
日本語
citation_public_url
http://hdl.handle.net/11094/1015
citation_keywords
イオン散乱
CAICISS
STM
ZrB2
LPE成長GaN
Geナノ結晶
MnSi
CNT
電界電子放出
イオンゲージ
citation_date
2009-03-24