Effect of light irradiation on indentation-induced dislocation behavior in GaN oriented for basal slip

Kinoshita, Ryosuke; Li, Yan; Oguri, Hiroto et al.

Journal of the American Ceramic Society, 2025, 108(9), e20663

アクセス数:13件（2025-08-01 20:02 集計）

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論文情報

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タイトル
Effect of light irradiation on indentation-induced dislocation behavior in GaN oriented for basal slip
著者
著者名
Kinoshita, Ryosuke
NRID
1000070930171 1000070930171
ORCID
0000-0002-9274-2516 0000-0002-9274-2516
researchmap permalink
liyan-osaka_univ liyan-osaka_univ
著者名
Li, Yan
著者名
Oguri, Hiroto
著者名
Higuchi, Kimitaka
著者名
Arai, Shigeo
NRID
1000050709483 1000050709483
著者名
Tochigi, Eita
NRID
1000020419675 1000020419675
ORCID
0000-0002-4324-1512 0000-0002-4324-1512
researchmap permalink
read0210196 read0210196
Scopus Author ID
56421164400 56421164400
著者名
Nakamura, Atsutomo
キーワード等
dislocation
GaN
nanoindentation
photoplastic effect
plasticity
semiconductors
内容
Kinoshita R., Li Y., Oguri H., et al. Effect of light irradiation on indentation-induced dislocation behavior in GaN oriented for basal slip. Journal of the American Ceramic Society, e20663 (2025); https://doi.org/10.1111/jace.20663.
出版者
John Wiley and Sons Inc
収録物名
Journal of the American Ceramic Society
巻(号)
108(9)
ページ
e20663
刊行年月
2025-05-14
言語
英語
ハンドルURL
https://hdl.handle.net/11094/102231
PISSN
00027820
eISSN
15512916
関連情報 (isIdenticalTo)
DOI (出版社版)
https://doi.org/10.1111/jace.20663
アクセス権
open access
権利情報
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出版タイプ
Version of Record
カテゴリ
学術雑誌論文 Journal Article