MOSFETへ一軸性応力をかける方法

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ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
ltc062-22	pdf	96.4 KB	88

タイトル	MOSFETへ一軸性応力をかける方法
タイトル (ヨミ)	MOSFET ヘイチジクセイオウリョクヲカケルホウホウ
著者	正木, 和夫正木, 和夫
	谷口, 研二谷口, 研二
	浜口, 智尋浜口, 智尋
著者 (ヨミ)	タニグチ, ケンジ
	ハマグチ, チヒロ
	マサキ, カズオ
内容	実験メモ
公開者	大阪大学低温センター
公開者 (ヨミ)	オオサカダイガクテイオンセンター
掲載誌名	大阪大学低温センターだより
巻	62
開始ページ	22
終了ページ	23
刊行年月	1988-04
ISSN	03874419
NCID	AN00030246
URL	http://hdl.handle.net/11094/10728
言語	日本語
カテゴリ	紀要論文 Departmental Bulletin Paper
カテゴリ	大阪大学低温センターだより / No.62 (1988-04)

著者版フラグ	publisher
NII資源タイプ	紀要論文
ローカル資源タイプ	紀要論文
dcmi資源タイプ	text
DCTERMS.bibliographicCitation	大阪大学低温センターだより.62 P.22-P.23
DC.title	MOSFETへ一軸性応力をかける方法
DC.creator	正木, 和夫
	谷口, 研二
	浜口, 智尋
DC.publisher	大阪大学低温センター
DC.language" scheme="DCTERMS.RFC1766	日本語
DCTERMS.issued" scheme="DCTERMS.W3CDTF	1988-04
DC.identifier" scheme="DCTERMS.URI	http://hdl.handle.net/11094/10728
DC.description	実験メモ
citation_title	MOSFETへ一軸性応力をかける方法
citation_author	正木, 和夫
	谷口, 研二
	浜口, 智尋
citation_publisher	大阪大学低温センター
citation_language	日本語
citation_date	1988-04
citation_journal_title	大阪大学低温センターだより
citation_volume	62
citation_firstpage	22
citation_lastpage	23
citation_issn	03874419
citation_public_url	http://hdl.handle.net/11094/10728