Si表面水素のイオンビーム定量ならびに薄膜形成に及ぼす影響に関する研究

内藤, 正路

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固定URL: https://doi.org/10.11501/3094183

ファイル	フォーマット	利用条件	サイズ	閲覧回数	利用開始日	説明	information
11377_Abstract	pdf	なし	117 KB	129	2014.06.09	要旨/Abstract
11377_Dissertation	pdf	なし	52.2 MB	199	2012.09.22	論文/Dissertation

タイトル	Si表面水素のイオンビーム定量ならびに薄膜形成に及ぼす影響に関する研究
タイトル	Si ヒョウメンスイソノイオンビームテイリョウナラビニハクマクケイセイニオヨボスエイキョウニカンスルケンキュウ
著者	NRID 1000060264131 1000060264131 著者名内藤, 正路 ; ナイトウ, マサミチ ; Naitou, Masamichi
学位名	博士（工学）
学位授与年月日	1994-03-25
学位授与機関	大阪大学
研究科	工学
専攻	電子工学
学位授与番号	甲第05059号
学位記番号	11377
言語	日本語
ハンドルURL	https://hdl.handle.net/11094/1151
DOI	https://doi.org/10.11501/3094183
アクセス権	open access
出版タイプ	Version of Record
カテゴリ	博士論文本文あり / 工学研究科 / 1993年度
カテゴリ	博士論文 / 工学研究科 / 1993年度

資源タイプ	博士論文
ローカル資源タイプ	博士論文本文あり
ローカル資源タイプ	博士論文
DCMI資源タイプ	text
DCTERMS.bibliographicCitation	大阪大学, 1994, 博士論文
DC.title	Si表面水素のイオンビーム定量ならびに薄膜形成に及ぼす影響に関する研究
DC.title	Si ヒョウメンスイソノイオンビームテイリョウナラビニハクマクケイセイニオヨボスエイキョウニカンスルケンキュウ
DC.creator	内藤, 正路
	ナイトウ, マサミチ
	Naitou, Masamichi
DC.language' scheme='DCTERMS.RFC1766	日本語
DC.type' scheme='DCTERMS.DCMIType	text
DCTERMS.issued' scheme='DCTERMS.W3CDTF	1994-03-25
DC.identifier	10.11501/3094183
DC.format	1151
citation_title	Si表面水素のイオンビーム定量ならびに薄膜形成に及ぼす影響に関する研究
citation_author	内藤, 正路
citation_language	日本語
citation_public_url	https://hdl.handle.net/11094/1151
citation_date	1994-03-25
citation_doi_detail	10.11501/3094183
citation_doi	https://doi.org/10.11501/3094183