半導体表面におけるレーザー誘起構造変化と原子放出 : 現象・機構・応用

谷村, 克己

大阪大学低温センターだより, 2004, 126, 2-6

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固定URL: https://hdl.handle.net/11094/12318

ファイル	フォーマット	利用条件	サイズ	閲覧回数	利用開始日	説明	information
ltc126-02	pdf	なし	609 KB	161	2012.09.22

タイトル	半導体表面におけるレーザー誘起構造変化と原子放出 : 現象・機構・応用
タイトル	ハンドウタイヒョウメンニオケルレーザーユウキコウゾウヘンカトゲンシホウシュツゲンショウキコウオウヨウ
著者	NRID 1000000135328 1000000135328 著者名谷村, 克己 ; タニムラ, カツミ
内容	研究ノート
出版者	大阪大学低温センター
出版者	オオサカダイガクテイオンセンター
収録物名	大阪大学低温センターだより
巻(号)	126
ページ	2-6
刊行年月	2004-04
言語	日本語
ハンドルURL	https://hdl.handle.net/11094/12318
PISSN	03874419
NCID	AN00030246
アクセス権	open access
出版タイプ	Version of Record
カテゴリ	紀要論文 Departmental Bulletin Paper
カテゴリ	大阪大学低温センターだより / No.126 (2004-04)

資源タイプ	紀要論文
ローカル資源タイプ	紀要論文
DCMI資源タイプ	text
DCTERMS.bibliographicCitation	大阪大学低温センターだより. 2004, 126, p. 2-6
DC.title	半導体表面におけるレーザー誘起構造変化と原子放出 : 現象・機構・応用
DC.title	ハンドウタイヒョウメンニオケルレーザーユウキコウゾウヘンカトゲンシホウシュツゲンショウキコウオウヨウ
DC.creator	谷村, 克己
DC.creator	タニムラ, カツミ
DC.publisher	大阪大学低温センター
DC.publisher	オオサカダイガクテイオンセンター
DC.language' scheme='DCTERMS.RFC1766	日本語
DC.type' scheme='DCTERMS.DCMIType	text
DCTERMS.issued' scheme='DCTERMS.W3CDTF	2004-04
DC.description	研究ノート
DC.format	12318
citation_title	半導体表面におけるレーザー誘起構造変化と原子放出 : 現象・機構・応用
citation_author	谷村, 克己
citation_publisher	大阪大学低温センター
citation_language	日本語
citation_date	2004-04
citation_journal_title	大阪大学低温センターだより
citation_volume	126
citation_firstpage	2
citation_lastpage	6
citation_public_url	https://hdl.handle.net/11094/12318