Ge吸着によるSi(111)表面電子構造の変化

長谷川, 繁彦

大阪大学低温センターだより, 1988, 62, 11-15

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固定URL: https://hdl.handle.net/11094/12868

ファイル	フォーマット	利用条件	サイズ	閲覧回数	利用開始日	説明	information
ltc062-11	pdf	なし	265 KB	266	2012.09.22

タイトル	Ge吸着によるSi(111)表面電子構造の変化
タイトル	Ge キュウチャクニヨル Si(111) ヒョウメンデンシコウゾウノヘンカ
著者	NRID 1000050189528 1000050189528 researchmap permalink Shigehiko_Hasegawa Shigehiko_Hasegawa Scopus Author ID 35419713200 35419713200 著者名長谷川, 繁彦 ; ハセガワ, シゲヒコ
内容	研究ノート
出版者	大阪大学低温センター
出版者	オオサカダイガクテイオンセンター
収録物名	大阪大学低温センターだより
巻(号)	62
ページ	11-15
刊行年月	1988-04
言語	日本語
ハンドルURL	https://hdl.handle.net/11094/12868
PISSN	03874419
NCID	AN00030246
アクセス権	open access
出版タイプ	Version of Record
カテゴリ	紀要論文 Departmental Bulletin Paper
カテゴリ	大阪大学低温センターだより / No.62 (1988-04)

資源タイプ	紀要論文
ローカル資源タイプ	紀要論文
DCMI資源タイプ	text
DCTERMS.bibliographicCitation	大阪大学低温センターだより. 1988, 62, p. 11-15
DC.title	Ge吸着によるSi(111)表面電子構造の変化
DC.title	Ge キュウチャクニヨル Si(111) ヒョウメンデンシコウゾウノヘンカ
DC.creator	長谷川, 繁彦
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DC.publisher	大阪大学低温センター
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