Ge吸着によるSi(111)表面電子構造の変化

このアイテムのアクセス数:89件（2018-09-23 15:18 集計）

このアイテムへのリンクには次のURLをご利用ください:http://hdl.handle.net/11094/12868

ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
ltc062-11	pdf	265 KB	168

タイトル	Ge吸着によるSi(111)表面電子構造の変化
タイトル (ヨミ)	Ge キュウチャクニヨル Si(111) ヒョウメンデンシコウゾウノヘンカ
著者	長谷川, 繁彦長谷川, 繁彦
著者 (ヨミ)	ハセガワ, シゲヒコ
キーワード等	研究ノート
公開者	大阪大学低温センター
公開者 (ヨミ)	オオサカダイガクテイオンセンター
掲載誌名	大阪大学低温センターだより
巻	62
開始ページ	11
終了ページ	15
刊行年月	1988-04
ISSN	03874419
NCID	AN00030246
URL	http://hdl.handle.net/11094/12868
言語	日本語

著者版フラグ	publisher
NII資源タイプ	紀要論文
ローカル資源タイプ	紀要論文
dcmi資源タイプ	text
DCTERMS.bibliographicCitation	大阪大学低温センターだより.62 P.11-P.15
DC.title	Ge吸着によるSi(111)表面電子構造の変化
DC.creator	長谷川, 繁彦
DC.publisher	大阪大学低温センター
DC.language" scheme="DCTERMS.RFC1766	日本語
DCTERMS.issued" scheme="DCTERMS.W3CDTF	1988-04
DC.identifier" scheme="DCTERMS.URI	http://hdl.handle.net/11094/12868
DC.subject	研究ノート
citation_title	Ge吸着によるSi(111)表面電子構造の変化
citation_author	長谷川, 繁彦
citation_publisher	大阪大学低温センター
citation_language	日本語
citation_date	1988-04
citation_journal_title	大阪大学低温センターだより
citation_volume	62
citation_firstpage	11
citation_lastpage	15
citation_issn	03874419
citation_public_url	http://hdl.handle.net/11094/12868
citation_keywords	研究ノート