Si反転層内における電子移動度に関する研究

このアイテムのアクセス数:81件（2017-10-19 18:13 集計）

このアイテムへのリンクには次のURLをご利用ください:https://doi.org/10.11501/3064572

このアイテムへのリンクには次のURLをご利用ください:http://hdl.handle.net/11094/1652

ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
10440_要旨	pdf	121 KB	196	要旨/Abstract
10440_論文	pdf	3.69 MB	958	論文/Dissertation

タイトル	Si反転層内における電子移動度に関する研究
タイトル (ヨミ)	Siハンテンソウナイニオケルデンシイドウドニカンスルケンキュウ
著者	正木, 和夫正木, 和夫
著者の別表記	Masaki, Kazuo
著者 (ヨミ)	マサキ, カズオ
学位名	博士（工学）
学位授与年月日	1992-10-23
学位授与機関	大阪大学
学位授与番号	14401乙第05819号
学位記番号	10440
URL	http://hdl.handle.net/11094/1652
言語	日本語
DOI	info:doi/10.11501/3064572

著者版フラグ	ETD
NII資源タイプ	学位論文
ローカル資源タイプ	博士論文本文あり
ローカル資源タイプ	博士論文
dcmi資源タイプ	text
DC.title	Si反転層内における電子移動度に関する研究
DC.creator	正木, 和夫
DC.creator	Masaki, Kazuo
DC.language" scheme="DCTERMS.RFC1766	日本語
DC.identifier" scheme="DCTERMS.URI	http://hdl.handle.net/11094/1652
DCTERMS.issued" scheme="DCTERMS.W3CDTF	1992-10-23
DC.identifier	info:doi/10.11501/3064572
citation_title	Si反転層内における電子移動度に関する研究
citation_author	正木, 和夫
citation_language	日本語
citation_public_url	http://hdl.handle.net/11094/1652
citation_date	1992-10-23
citation_doi	info:doi/10.11501/3064572