直衝突イオン散乱分光による半導体表面構造とその動的変化の解析

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ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
11593_要旨	pdf	206 KB	78	要旨/Abstract
11593_論文	pdf	12.6 MB	49	論文/Dissertation

タイトル	直衝突イオン散乱分光による半導体表面構造とその動的変化の解析
タイトル (ヨミ)	チョクショウトツイオンサンランブンコウニヨルハンドウタイヒョウメンコウゾウトソノドウテキヘンカノカイセキ
著者	片山, 光浩片山, 光浩
著者の別表記	Katayama, Mituhiro
著者 (ヨミ)	カタヤマ, ミツヒロ
学位名	博士（工学）
学位授与年月日	1994-11-25
学位授与機関	大阪大学
学位授与番号	14401乙第06462号
学位記番号	11593
URL	http://hdl.handle.net/11094/1711
言語	日本語
DOI	info:doi/10.11501/3098891
カテゴリ	博士論文本文あり / その他 / 1994年度
カテゴリ	博士論文 / その他 / 1994年度

著者版フラグ	ETD
NII資源タイプ	学位論文
ローカル資源タイプ	博士論文本文あり
ローカル資源タイプ	博士論文
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DC.title	直衝突イオン散乱分光による半導体表面構造とその動的変化の解析
DC.creator	片山, 光浩
DC.creator	Katayama, Mituhiro
DC.language" scheme="DCTERMS.RFC1766	日本語
DC.identifier" scheme="DCTERMS.URI	http://hdl.handle.net/11094/1711
DCTERMS.issued" scheme="DCTERMS.W3CDTF	1994-11-25
DC.identifier	info:doi/10.11501/3098891
citation_title	直衝突イオン散乱分光による半導体表面構造とその動的変化の解析
citation_author	片山, 光浩
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citation_public_url	http://hdl.handle.net/11094/1711
citation_date	1994-11-25
citation_doi	info:doi/10.11501/3098891