MONBE法によるInP系化合物半導体の結晶成長と2μm帯レーザへの応用に関する研究

満原, 学

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固定URL: https://doi.org/10.11501/3169621

ファイル	フォーマット	利用条件	サイズ	閲覧回数	利用開始日	説明	information
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15577_Abstract	pdf	なし	152 KB	288	2014.08.04	要旨/Abstract

タイトル	MONBE法によるInP系化合物半導体の結晶成長と2μm帯レーザへの応用に関する研究
タイトル	MONBEホウニヨル InPケイカゴウブツハンドウタイノケッショウセイチョウト 2μmタイレーザヘノオウヨウニカンスルケンキュウ
著者	著者名満原, 学 ; ミツハラ, マナブ
学位名	博士（工学）
学位授与年月日	2000-03-24
学位授与機関	大阪大学
学位授与番号	乙第07981号
学位記番号	15577
言語	日本語
ハンドルURL	https://hdl.handle.net/11094/1778
DOI	https://doi.org/10.11501/3169621
アクセス権	open access
出版タイプ	Version of Record
カテゴリ	博士論文本文あり / その他 / 1999年度
カテゴリ	博士論文 / その他 / 1999年度

資源タイプ	博士論文
ローカル資源タイプ	博士論文本文あり
ローカル資源タイプ	博士論文
DCMI資源タイプ	text
DCTERMS.bibliographicCitation	大阪大学, 2000, 博士論文
DC.title	MONBE法によるInP系化合物半導体の結晶成長と2μm帯レーザへの応用に関する研究
DC.title	MONBEホウニヨル InPケイカゴウブツハンドウタイノケッショウセイチョウト 2μmタイレーザヘノオウヨウニカンスルケンキュウ
DC.creator	満原, 学
DC.creator	ミツハラ, マナブ
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DCTERMS.issued' scheme='DCTERMS.W3CDTF	2000-03-24
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