MONBE法によるInP系化合物半導体の結晶成長と2μm帯レーザへの応用に関する研究

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ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
15577_論文	pdf	22.9 MB	280	論文/Dissertation
15577_要旨	pdf	152 KB	84	要旨/Abstract

タイトル	MONBE法によるInP系化合物半導体の結晶成長と2μm帯レーザへの応用に関する研究
タイトル (ヨミ)	MONBEホウニヨル InPケイカゴウブツハンドウタイノケッショウセイチョウト 2μmタイレーザヘノオウヨウニカンスルケンキュウ
著者	満原, 学満原, 学
著者 (ヨミ)	ミツハラ, マナブ
学位名	博士（工学）
学位授与年月日	2000-03-24
学位授与機関	大阪大学
学位授与番号	14401乙第07981号
学位記番号	15577
URL	http://hdl.handle.net/11094/1778
言語	日本語
DOI	info:doi/10.11501/3169621

著者版フラグ	ETD
NII資源タイプ	学位論文
ローカル資源タイプ	博士論文本文あり
ローカル資源タイプ	博士論文
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DC.title	MONBE法によるInP系化合物半導体の結晶成長と2μm帯レーザへの応用に関する研究
DC.creator	満原, 学
DC.language" scheme="DCTERMS.RFC1766	日本語
DC.identifier" scheme="DCTERMS.URI	http://hdl.handle.net/11094/1778
DCTERMS.issued" scheme="DCTERMS.W3CDTF	2000-03-24
DC.identifier	info:doi/10.11501/3169621
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citation_date	2000-03-24
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