High-Density GaAs/(GaAs)m(AlAs)n Quantum Wires Grown on (775) B-Oriented GaAs Substrates by Molecular Beam Epitaxy

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固定URL: https://doi.org/10.11501/3144057

ファイル	フォーマット	利用条件	サイズ	閲覧回数	利用開始日	説明	information
13943_Dissertation	pdf	なし	21.0 MB	222	2014.11.17	論文/Dissertation
13943_Abstract	pdf	なし	153 KB	169	2014.06.09	要旨/Abstract

タイトル	High-Density GaAs/(GaAs)m(AlAs)n Quantum Wires Grown on (775) B-Oriented GaAs Substrates by Molecular Beam Epitaxy
	(775) B GaAs基板上にMBE成長した超高密度GaAs/(GaAs)m (AlAs)n量子細線
	(775)B GaAs キバンジョウニ MBE セイチョウシタチョウコウミツド GaAs (GaAs)m (AlAs)n リョウシサイセン
著者	著者名 Higashiwaki, Masataka ; ヒガシワキ, マサタカ ; 東脇, 正高
学位名	博士（工学）
学位授与年月日	1998-03-25
学位授与機関	大阪大学
研究科	基礎工学
専攻	物理系
学位授与番号	甲第06474号
学位記番号	13943
言語	英語
ハンドルURL	https://hdl.handle.net/11094/1836
DOI	https://doi.org/10.11501/3144057
アクセス権	open access
出版タイプ	Version of Record
カテゴリ	博士論文本文あり / 基礎工学研究科 / 1997年度
カテゴリ	博士論文 / 基礎工学研究科 / 1997年度

資源タイプ	博士論文
ローカル資源タイプ	博士論文本文あり
ローカル資源タイプ	博士論文
DCMI資源タイプ	text
DCTERMS.bibliographicCitation	大阪大学, 1998, 博士論文
DC.title	High-Density GaAs/(GaAs)m(AlAs)n Quantum Wires Grown on (775) B-Oriented GaAs Substrates by Molecular Beam Epitaxy
	(775) B GaAs基板上にMBE成長した超高密度GaAs/(GaAs)m (AlAs)n量子細線
	(775)B GaAs キバンジョウニ MBE セイチョウシタチョウコウミツド GaAs (GaAs)m (AlAs)n リョウシサイセン
DC.creator	Higashiwaki, Masataka
	ヒガシワキ, マサタカ
	東脇, 正高
DC.language' scheme='DCTERMS.RFC1766	英語
DC.type' scheme='DCTERMS.DCMIType	text
DCTERMS.issued' scheme='DCTERMS.W3CDTF	1998-03-25
DC.identifier	10.11501/3144057
DC.format	1836
citation_title	High-Density GaAs/(GaAs)m(AlAs)n Quantum Wires Grown on (775) B-Oriented GaAs Substrates by Molecular Beam Epitaxy
	(775) B GaAs基板上にMBE成長した超高密度GaAs/(GaAs)m (AlAs)n量子細線
	(775)B GaAs キバンジョウニ MBE セイチョウシタチョウコウミツド GaAs (GaAs)m (AlAs)n リョウシサイセン
citation_author	Higashiwaki, Masataka
	ヒガシワキ, マサタカ
	東脇, 正高
citation_language	英語
citation_public_url	https://hdl.handle.net/11094/1836
citation_date	1998-03-25
citation_doi_detail	10.11501/3144057
citation_doi	https://doi.org/10.11501/3144057