低速イオンビームを利用するPIXE表面分析法に関する研究

このアイテムのアクセス数:67件（2018-11-14 06:58 集計）

このアイテムへのリンクには次のURLをご利用ください:http://hdl.handle.net/11094/2017

ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
23836_要旨	pdf	303 KB	5	要旨/Abstract
23836_論文	pdf	12.1 MB	546	論文/Dissertation

タイトル	低速イオンビームを利用するPIXE表面分析法に関する研究
タイトル (ヨミ)	テイソクイオンビームヲリヨウスル PIXE ヒョウメンブンセキホウニカンスルケンキュウ
著者	加田, 渉加田, 渉
著者 (ヨミ)	カダ, ワタル
キーワード等	低速イオン
	PIXE
	表面分析
	斜入射測定
	斜出射測定
著者所属研究科	工学
専攻	電気電子情報工学
学位名	博士（工学）
学位授与年月日	2010-03-23
学位授与機関	大阪大学
学位授与番号	14401甲第14255号
学位記番号	23836
URL	http://hdl.handle.net/11094/2017
言語	日本語

著者版フラグ	ETD
NII資源タイプ	学位論文
ローカル資源タイプ	博士論文本文あり
ローカル資源タイプ	博士論文
dcmi資源タイプ	text
DC.title	低速イオンビームを利用するPIXE表面分析法に関する研究
DC.creator	加田, 渉
DC.language" scheme="DCTERMS.RFC1766	日本語
DC.identifier" scheme="DCTERMS.URI	http://hdl.handle.net/11094/2017
DC.subject	低速イオン
	PIXE
	表面分析
	斜入射測定
	斜出射測定
DCTERMS.issued" scheme="DCTERMS.W3CDTF	2010-03-23
citation_title	低速イオンビームを利用するPIXE表面分析法に関する研究
citation_author	加田, 渉
citation_language	日本語
citation_public_url	http://hdl.handle.net/11094/2017
citation_keywords	低速イオン
	PIXE
	表面分析
	斜入射測定
	斜出射測定
citation_date	2010-03-23