Ⅲ-Ⅴ化合物半導体表面への電極形成の研究

このアイテムのアクセス数:143件（2018-08-15 16:29 集計）

このアイテムへのリンクには次のURLをご利用ください:https://doi.org/10.11501/3070501

このアイテムへのリンクには次のURLをご利用ください:http://hdl.handle.net/11094/2232

ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
10891_論文	pdf	55.7 MB	155	論文/Dissertation
10891_要旨	pdf	140 KB	388	要旨/Abstract

タイトル	Ⅲ-Ⅴ化合物半導体表面への電極形成の研究
タイトル (ヨミ)	Ⅲ-Ⅴカゴウブツハンドウタイヒョウメンヘノデンキョクケイセイノケンキュウ
著者	小川, 正毅小川, 正毅
著者の別表記	Ogawa, Masaki
著者 (ヨミ)	オガワ, マサキ
学位名	博士（工学）
学位授与年月日	1993-07-26
学位授与機関	大阪大学
学位授与番号	14401乙第06033号
学位記番号	10891
URL	http://hdl.handle.net/11094/2232
言語	日本語
DOI	info:doi/10.11501/3070501

著者版フラグ	ETD
NII資源タイプ	学位論文
ローカル資源タイプ	博士論文本文あり
ローカル資源タイプ	博士論文
dcmi資源タイプ	text
DC.title	Ⅲ-Ⅴ化合物半導体表面への電極形成の研究
DC.creator	小川, 正毅
DC.creator	Ogawa, Masaki
DC.language" scheme="DCTERMS.RFC1766	日本語
DC.identifier" scheme="DCTERMS.URI	http://hdl.handle.net/11094/2232
DCTERMS.issued" scheme="DCTERMS.W3CDTF	1993-07-26
DC.identifier	info:doi/10.11501/3070501
citation_title	Ⅲ-Ⅴ化合物半導体表面への電極形成の研究
citation_author	小川, 正毅
citation_language	日本語
citation_public_url	http://hdl.handle.net/11094/2232
citation_date	1993-07-26
citation_doi	info:doi/10.11501/3070501