III族窒化物希薄磁性半導体の創製とその評価に関する研究

木村, 重哉

アクセス数:505件（2025-07-01 22:08 集計）

固定URL: https://hdl.handle.net/11094/23431

ファイル	フォーマット	利用条件	サイズ	閲覧回数	利用開始日	説明	information
22059_Abstract	pdf	なし	606 KB	126	2017.02.22	要旨/Abstract
22059_Dissertation	pdf	なし	20.0 MB	1,102	2013.01.29	論文/Dissertation

タイトル	III族窒化物希薄磁性半導体の創製とその評価に関する研究
タイトル	IIIゾク　チッカブツ　キハク　ジセイ　ハンドウタイ　ノ　ソウセイ　ト　ソノ　ヒョウカ　ニカンスル　ケンキュウ
著者	著者名木村, 重哉 ; キムラ, シゲヤ ; Kimura, Shigeya
キーワード等	窒化ガリウム
	磁性半導体
	GaN
	InN
	AIN
学位名	博士（工学）
学位授与年月日	2008-03-25
学位授与機関	大阪大学
研究科	工学
専攻	電気電子情報工学
学位授与番号	甲第12662号
学位記番号	22059
言語	日本語
ハンドルURL	https://hdl.handle.net/11094/23431
アクセス権	open access
出版タイプ	Version of Record
カテゴリ	博士論文本文あり / 工学研究科 / 2007年度
カテゴリ	博士論文 / 工学研究科 / 2007年度

資源タイプ	博士論文
ローカル資源タイプ	博士論文本文あり
ローカル資源タイプ	博士論文
DCMI資源タイプ	text
DCTERMS.bibliographicCitation	大阪大学, 2008, 博士論文
DC.title	III族窒化物希薄磁性半導体の創製とその評価に関する研究
DC.title	IIIゾク　チッカブツ　キハク　ジセイ　ハンドウタイ　ノ　ソウセイ　ト　ソノ　ヒョウカ　ニカンスル　ケンキュウ
DC.creator	木村, 重哉
	キムラ, シゲヤ
	Kimura, Shigeya
DC.language' scheme='DCTERMS.RFC1766	日本語
DC.type' scheme='DCTERMS.DCMIType	text
DC.subject	窒化ガリウム
	磁性半導体
	GaN
	InN
	AIN
DCTERMS.issued' scheme='DCTERMS.W3CDTF	2008-03-25
DC.format	23431
citation_title	III族窒化物希薄磁性半導体の創製とその評価に関する研究
citation_author	木村, 重哉
citation_language	日本語
citation_public_url	https://hdl.handle.net/11094/23431
citation_date	2008-03-25