III族窒化物希薄磁性半導体の創製とその評価に関する研究

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ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
22059_要旨	pdf	606 KB	11	要旨/Abstract
22059_論文	pdf	20.0 MB	560	論文/Dissertation

タイトル	III族窒化物希薄磁性半導体の創製とその評価に関する研究
タイトル (ヨミ)	IIIゾク　チッカブツ　キハク　ジセイ　ハンドウタイ　ノ　ソウセイ　ト　ソノ　ヒョウカ　ニカンスル　ケンキュウ
著者	木村, 重哉木村, 重哉
著者の別表記	Kimura, Shigeya
著者 (ヨミ)	キムラ, シゲヤ
キーワード等	窒化ガリウム
	磁性半導体
	GaN
	InN
	AIN
著者所属研究科	工学
専攻	電気電子情報工学
学位名	博士（工学）
学位授与年月日	2008-03-25
学位授与機関	大阪大学
学位授与番号	14401甲第12662号
学位記番号	22059
URL	http://hdl.handle.net/11094/23431
言語	日本語

著者版フラグ	ETD
NII資源タイプ	学位論文
ローカル資源タイプ	博士論文本文あり
ローカル資源タイプ	博士論文
dcmi資源タイプ	text
DC.title	III族窒化物希薄磁性半導体の創製とその評価に関する研究
DC.creator	木村, 重哉
DC.creator	Kimura, Shigeya
DC.language" scheme="DCTERMS.RFC1766	日本語
DC.identifier" scheme="DCTERMS.URI	http://hdl.handle.net/11094/23431
DC.subject	窒化ガリウム
	磁性半導体
	GaN
	InN
	AIN
DCTERMS.issued" scheme="DCTERMS.W3CDTF	2008-03-25
citation_title	III族窒化物希薄磁性半導体の創製とその評価に関する研究
citation_author	木村, 重哉
citation_language	日本語
citation_public_url	http://hdl.handle.net/11094/23431
citation_keywords	窒化ガリウム
	磁性半導体
	GaN
	InN
	AIN
citation_date	2008-03-25