シリコン単結晶成長プロセスの数値シミュレーションに要求される熱物性値

福山, 博之; 塚田, 隆夫; 渡邉, 匡人; 田中, 敏宏; 馬場, 哲也; 日比谷, 孟俊

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論文情報

タイトル	シリコン単結晶成長プロセスの数値シミュレーションに要求される熱物性値
別タイトル	Thermophysical Properties Required for Numerical Simulation of Single Crystalline Silicon Growth Processes
タイトル (ヨミ)	シリコン　タンケッショウ　セイチョウ　プロセス　ノ　スウチ　シミュレーション　ニ　ヨウキュウサレル　ネツ　ブッセイチ
著者	福山, 博之福山, 博之
	塚田, 隆夫塚田, 隆夫
	渡邉, 匡人渡邉, 匡人
	田中, 敏宏田中, 敏宏
	馬場, 哲也馬場, 哲也
	日比谷, 孟俊日比谷, 孟俊
著者の別表記	Fukuyama, Hiroyuki
	Tsukada, Takao
	Watanabe, Masahito
	Tanaka, Toshihiro
	Baba, Tetsuya
	Hibiya, Taketoshi
著者 (ヨミ)	フクヤマ, ヒロユキ
	ツカダ, タカオ
	ワタナベ, マサヒト
	タナカ, トシヒロ
	ババ, テツヤ
	ヒビヤ, タケトシ
内容	小特集：バルク成長分科会特集－最先端デバイスと科学技術－
公開者	日本結晶成長学会
公開者 (ヨミ)	ニホン　ケッショウ　セイチョウ　ガッカイ
掲載誌名	日本結晶成長学会誌
巻	30
号	5
開始ページ	364
終了ページ	369
刊行年月	2004-01-15
ISSN	03856275
NCID	AN00188386
URL	http://hdl.handle.net/11094/26058
関連情報 (isversionof)	http://ci.nii.ac.jp/naid/110008593111
権利情報	日本結晶成長学会
権利情報	本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである
言語	日本語
カテゴリ	学術雑誌論文 Journal Article

著者版フラグ	publisher
NII資源タイプ	学術雑誌論文
ローカル資源タイプ	学術雑誌論文
dcmi資源タイプ	text
DCTERMS.bibliographicCitation	日本結晶成長学会誌.30(5) P.364-P.369
DC.title	シリコン単結晶成長プロセスの数値シミュレーションに要求される熱物性値
DCTERMS.alternative	Thermophysical Properties Required for Numerical Simulation of Single Crystalline Silicon Growth Processes
DC.creator	福山, 博之
	塚田, 隆夫
	渡邉, 匡人
	田中, 敏宏
	馬場, 哲也
	日比谷, 孟俊
DC.creator	Fukuyama, Hiroyuki
	Tsukada, Takao
	Watanabe, Masahito
	Tanaka, Toshihiro
	Baba, Tetsuya
	Hibiya, Taketoshi
DC.publisher	日本結晶成長学会
DC.language" scheme="DCTERMS.RFC1766	日本語
DCTERMS.issued" scheme="DCTERMS.W3CDTF	2004-01-15
DC.identifier" scheme="DCTERMS.URI	http://hdl.handle.net/11094/26058
DC.description	小特集：バルク成長分科会特集－最先端デバイスと科学技術－
DC.rights	日本結晶成長学会
DC.rights	本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである
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citation_author	福山, 博之
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citation_volume	30
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