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ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	利用開始日	説明
JJACG30_5_364	pdf	535 KB	110	2013.10.18

論文情報

タイトル	シリコン単結晶成長プロセスの数値シミュレーションに要求される熱物性値
	Thermophysical Properties Required for Numerical Simulation of Single Crystalline Silicon Growth Processes
	シリコン　タンケッショウ　セイチョウ　プロセス　ノ　スウチ　シミュレーション　ニ　ヨウキュウサレル　ネツ　ブッセイチ
著者	NRID 1000040252259 1000040252259 著者名 福山, 博之 フクヤマ, ヒロユキ Fukuyama, Hiroyuki
	NRID 1000010171969 1000010171969 著者名 塚田, 隆夫 ツカダ, タカオ Tsukada, Takao
	NRID 1000040337902 1000040337902 著者名 渡邉, 匡人 ワタナベ, マサヒト Watanabe, Masahito
	NRID 1000010179773 1000010179773 著者名 田中, 敏宏 タナカ, トシヒロ Tanaka, Toshihiro
	著者名 馬場, 哲也 ババ, テツヤ Baba, Tetsuya
	著者名 日比谷, 孟俊 ヒビヤ, タケトシ Hibiya, Taketoshi
内容	小特集：バルク成長分科会特集－最先端デバイスと科学技術－
出版者	日本結晶成長学会
	ニホン　ケッショウ　セイチョウ　ガッカイ
収録物名	日本結晶成長学会誌
巻	30
号	5
開始ページ	364
終了ページ	369
刊行年月	2004-01-15
言語	日本語
ハンドルURL	https://hdl.handle.net/11094/26058
ISSN	03856275
NCID	AN00188386
関連情報 (isVersionOf)	関連識別子 http://ci.nii.ac.jp/naid/110008593111
アクセス権	open access
権利情報	日本結晶成長学会
	本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである
出版タイプ	Version of Record
カテゴリ	学術雑誌論文 Journal Article

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