Development of a Novel Technology of Atomic Layer Epitaxy for III-V Compound Semiconductors and Study on its Growth Mechanism

Sakuma, Yoshiki

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固定URL: https://doi.org/10.11501/3144134

ファイル	フォーマット	利用条件	サイズ	閲覧回数	利用開始日	説明	information
13490_Dissertation	pdf	なし	48.1 MB	187	2014.11.17	論文/Dissertation
13490_Abstract	pdf	なし	146 KB	144	2014.08.04	要旨/Abstract

タイトル	Development of a Novel Technology of Atomic Layer Epitaxy for III-V Compound Semiconductors and Study on its Growth Mechanism
	III-V族化合物半導体の新しい原子層エピタキシ技術の開発と結晶成長機構に関する研究
	III-V ゾクカゴウブツハンドウタイノアタラシイゲンシソウエピタキシギジュツノカイハツケッショウセイチョウキコウニカンスルケンキュウ
著者	著者名 Sakuma, Yoshiki ; サクマ, ヨシキ ; 佐久間, 芳樹
学位名	博士（工学）
学位授与年月日	1997-12-19
学位授与機関	大阪大学
学位授与番号	乙第07379号
学位記番号	13490
言語	英語
ハンドルURL	https://hdl.handle.net/11094/2668
DOI	https://doi.org/10.11501/3144134
アクセス権	open access
出版タイプ	Version of Record
カテゴリ	博士論文本文あり / その他 / 1997年度
カテゴリ	博士論文 / その他 / 1997年度

資源タイプ	博士論文
ローカル資源タイプ	博士論文本文あり
ローカル資源タイプ	博士論文
DCMI資源タイプ	text
DCTERMS.bibliographicCitation	大阪大学, 1997, 博士論文
DC.title	Development of a Novel Technology of Atomic Layer Epitaxy for III-V Compound Semiconductors and Study on its Growth Mechanism
	III-V族化合物半導体の新しい原子層エピタキシ技術の開発と結晶成長機構に関する研究
	III-V ゾクカゴウブツハンドウタイノアタラシイゲンシソウエピタキシギジュツノカイハツケッショウセイチョウキコウニカンスルケンキュウ
DC.creator	Sakuma, Yoshiki
	サクマ, ヨシキ
	佐久間, 芳樹
DC.language' scheme='DCTERMS.RFC1766	英語
DC.type' scheme='DCTERMS.DCMIType	text
DCTERMS.issued' scheme='DCTERMS.W3CDTF	1997-12-19
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citation_title	Development of a Novel Technology of Atomic Layer Epitaxy for III-V Compound Semiconductors and Study on its Growth Mechanism
citation_author	Sakuma, Yoshiki
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citation_date	1997-12-19
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