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(
2022-05-25
21:51 集計
)
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25465_要旨
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1.06 MB
19
要旨/Abstract
25465_論文
pdf
36.0 MB
941
論文/Dissertation
論文情報
タイトル
高誘電率ゲート絶縁膜の高機能化に向けた化学構造および界面反応に関する研究
別タイトル
Study on chemical structure and interface reaction of advanced high-k gate dielectrics
タイトル (ヨミ)
コウユウデンリツ ゲート ゼイツエンマク ノ コウキノウカ ニ ムケタ カガク コウゾウ オヨビ カイメン ハンノウ ニ カンスル ケンキュウ
著者
山元, 隆志
山元, 隆志
著者 (ヨミ)
ヤマモト, タカシ
キーワード等
high-k
SIMS
XPS
NEXAFS
著者所属研究科
工学
専攻
生命先端工学
学位名
博士(工学)
学位授与年月日
2012-03-22
学位授与機関
大阪大学
学位授与番号
14401甲第15727号
学位記番号
25465
URL
http://hdl.handle.net/11094/26870
言語
日本語
カテゴリ
博士論文 本文あり / 工学研究科 / 2011年度
博士論文 / 工学研究科 / 2011年度
論文詳細を表示
著者版フラグ
ETD
NII資源タイプ
学位論文
ローカル資源タイプ
博士論文 本文あり
博士論文
dcmi資源タイプ
text
DC.title
高誘電率ゲート絶縁膜の高機能化に向けた化学構造および界面反応に関する研究
DCTERMS.alternative
Study on chemical structure and interface reaction of advanced high-k gate dielectrics
DC.creator
山元, 隆志
DC.language" scheme="DCTERMS.RFC1766
日本語
DC.identifier" scheme="DCTERMS.URI
http://hdl.handle.net/11094/26870
DC.subject
high-k
SIMS
XPS
NEXAFS
DCTERMS.issued" scheme="DCTERMS.W3CDTF
2012-03-22
citation_title
高誘電率ゲート絶縁膜の高機能化に向けた化学構造および界面反応に関する研究
citation_author
山元, 隆志
citation_language
日本語
citation_public_url
http://hdl.handle.net/11094/26870
citation_keywords
high-k
SIMS
XPS
NEXAFS
citation_date
2012-03-22