高誘電率ゲート絶縁膜の高機能化に向けた化学構造および界面反応に関する研究

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ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	利用開始日	説明
25465_Abstract	pdf	1.06 MB	20	2017.02.22	要旨/Abstract
25465_Dissertation	pdf	36.0 MB	1,007	2014.02.25	論文/Dissertation

タイトル	高誘電率ゲート絶縁膜の高機能化に向けた化学構造および界面反応に関する研究
	Study on chemical structure and interface reaction of advanced high-k gate dielectrics
	コウユウデンリツ　ゲート　ゼイツエンマク　ノ　コウキノウカ　ニ　ムケタ　カガク　コウゾウ　オヨビ　カイメン　ハンノウ　ニ　カンスル　ケンキュウ
著者	著者名山元, 隆志ヤマモト, タカシ
キーワード等	high-k
	SIMS
	XPS
	NEXAFS
学位名	博士（工学）
学位授与年月日	2012-03-22
学位授与機関	大阪大学
研究科	工学
専攻	生命先端工学
学位授与番号	甲第15727号
学位記番号	25465
言語	日本語
ハンドルURL	https://hdl.handle.net/11094/26870
アクセス権	open access
出版タイプ	Version of Record
カテゴリ	博士論文本文あり / 工学研究科 / 2011年度
カテゴリ	博士論文 / 工学研究科 / 2011年度

資源タイプ	博士論文
ローカル資源タイプ	博士論文本文あり
ローカル資源タイプ	博士論文
DCMI資源タイプ	text
DC.title	高誘電率ゲート絶縁膜の高機能化に向けた化学構造および界面反応に関する研究
	Study on chemical structure and interface reaction of advanced high-k gate dielectrics
	コウユウデンリツ　ゲート　ゼイツエンマク　ノ　コウキノウカ　ニ　ムケタ　カガク　コウゾウ　オヨビ　カイメン　ハンノウ　ニ　カンスル　ケンキュウ
DC.creator	山元, 隆志
DC.creator	ヤマモト, タカシ
DC.language' scheme='DCTERMS.RFC1766	日本語
DC.type' scheme='DCTERMS.DCMIType	text
DC.subject	high-k
	SIMS
	XPS
	NEXAFS
DCTERMS.issued' scheme='DCTERMS.W3CDTF	2012-03-22
DC.format	application/pdf
DC.format	application/pdf
citation_title	高誘電率ゲート絶縁膜の高機能化に向けた化学構造および界面反応に関する研究
	Study on chemical structure and interface reaction of advanced high-k gate dielectrics
	コウユウデンリツ　ゲート　ゼイツエンマク　ノ　コウキノウカ　ニ　ムケタ　カガク　コウゾウ　オヨビ　カイメン　ハンノウ　ニ　カンスル　ケンキュウ
citation_author	山元, 隆志
citation_author	ヤマモト, タカシ
citation_language	日本語
citation_public_url	https://hdl.handle.net/11094/26870
citation_date	2012-03-22