高誘電率ゲート絶縁膜の高機能化に向けた化学構造および界面反応に関する研究

このアイテムのアクセス数:120件（2020-10-30 18:13 集計）

このアイテムへのリンクには次のURLをご利用ください:http://hdl.handle.net/11094/26870

ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
25465_要旨	pdf	1.06 MB	14	要旨/Abstract
25465_論文	pdf	36.0 MB	649	論文/Dissertation

タイトル	高誘電率ゲート絶縁膜の高機能化に向けた化学構造および界面反応に関する研究
別タイトル	Study on chemical structure and interface reaction of advanced high-k gate dielectrics
タイトル (ヨミ)	コウユウデンリツ　ゲート　ゼイツエンマク　ノ　コウキノウカ　ニ　ムケタ　カガク　コウゾウ　オヨビ　カイメン　ハンノウ　ニ　カンスル　ケンキュウ
著者	山元, 隆志山元, 隆志
著者 (ヨミ)	ヤマモト, タカシ
キーワード等	high-k
	SIMS
	XPS
	NEXAFS
著者所属研究科	工学
専攻	生命先端工学
学位名	博士（工学）
学位授与年月日	2012-03-22
学位授与機関	大阪大学
学位授与番号	14401甲第15727号
学位記番号	25465
URL	http://hdl.handle.net/11094/26870
言語	日本語
カテゴリ	博士論文本文あり / 工学研究科 / 2011年度
カテゴリ	博士論文 / 工学研究科 / 2011年度

著者版フラグ	ETD
NII資源タイプ	学位論文
ローカル資源タイプ	博士論文本文あり
ローカル資源タイプ	博士論文
dcmi資源タイプ	text
DC.title	高誘電率ゲート絶縁膜の高機能化に向けた化学構造および界面反応に関する研究
DCTERMS.alternative	Study on chemical structure and interface reaction of advanced high-k gate dielectrics
DC.creator	山元, 隆志
DC.language" scheme="DCTERMS.RFC1766	日本語
DC.identifier" scheme="DCTERMS.URI	http://hdl.handle.net/11094/26870
DC.subject	high-k
	SIMS
	XPS
	NEXAFS
DCTERMS.issued" scheme="DCTERMS.W3CDTF	2012-03-22
citation_title	高誘電率ゲート絶縁膜の高機能化に向けた化学構造および界面反応に関する研究
citation_author	山元, 隆志
citation_language	日本語
citation_public_url	http://hdl.handle.net/11094/26870
citation_keywords	high-k
	SIMS
	XPS
	NEXAFS
citation_date	2012-03-22