Two-dimensional measurements of electronic and ionic processes on silicon surface

中辻, 寛

アクセス数:439件（2025-05-10 18:16 集計）

固定URL: https://doi.org/10.11501/3144049

ファイル	フォーマット	利用条件	サイズ	閲覧回数	利用開始日	説明	information
13935_Abstract	pdf	なし	136 KB	133	2014.06.09	要旨/Abstract
13935_Dissertation	pdf	なし	4.58 MB	145	2012.09.22	論文/Dissertation

タイトル	Two-dimensional measurements of electronic and ionic processes on silicon surface
	シリコン表面における光電子及びイオン放出過程の二次元測定
	シリコンヒョウメンニオケルヒカリデンシオヨビイオンホウシュツカテイノニジゲンソクテイ
著者	NRID 1000080311629 1000080311629 著者名中辻, 寛 ; ナカツジ, カン ; Nakatsuji, Kan
学位名	博士（工学）
学位授与年月日	1998-03-25
学位授与機関	大阪大学
研究科	基礎工学
専攻	物理系
学位授与番号	甲第06466号
学位記番号	13935
言語	英語
ハンドルURL	https://hdl.handle.net/11094/272
DOI	https://doi.org/10.11501/3144049
アクセス権	open access
出版タイプ	Version of Record
カテゴリ	博士論文本文あり / 基礎工学研究科 / 1997年度
カテゴリ	博士論文 / 基礎工学研究科 / 1997年度

資源タイプ	博士論文
ローカル資源タイプ	博士論文本文あり
ローカル資源タイプ	博士論文
DCMI資源タイプ	text
DCTERMS.bibliographicCitation	大阪大学, 1998, 博士論文
DC.title	Two-dimensional measurements of electronic and ionic processes on silicon surface
	シリコン表面における光電子及びイオン放出過程の二次元測定
	シリコンヒョウメンニオケルヒカリデンシオヨビイオンホウシュツカテイノニジゲンソクテイ
DC.creator	中辻, 寛
	ナカツジ, カン
	Nakatsuji, Kan
DC.language' scheme='DCTERMS.RFC1766	英語
DC.type' scheme='DCTERMS.DCMIType	text
DCTERMS.issued' scheme='DCTERMS.W3CDTF	1998-03-25
DC.identifier	10.11501/3144049
DC.format	272
citation_title	Two-dimensional measurements of electronic and ionic processes on silicon surface
citation_author	中辻, 寛
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citation_date	1998-03-25
citation_doi_detail	10.11501/3144049
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