第一原理計算による半導体・絶縁体界面の研究

このアイテムのアクセス数:106件（2021-01-21 09:26 集計）

このアイテムへのリンクには次のURLをご利用ください:http://hdl.handle.net/11094/27568

ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
26165_要旨	pdf	3.18 MB	157	要旨/Abstract
26165_論文	pdf	11.9 MB	1,987	論文/Dissertation

タイトル	第一原理計算による半導体・絶縁体界面の研究
タイトル (ヨミ)	ダイイチ　ゲンリ　ケイサン　ニ　ヨル　ハンドウタイ　ゼツエンタイ　カイメン　ノ　ケンキュウ
著者	齊藤, 正一朗齊藤, 正一朗
著者 (ヨミ)	サイトウ, ショウイチロウ
キーワード等	第一原理計算
	半導体
	Ge
	SiC
著者所属研究科	工学
専攻	精密科学・応用物理学
学位名	博士（工学）
学位授与年月日	2013-03-25
学位授与機関	大阪大学
学位授与番号	14401甲第16379号
学位記番号	26165
URL	http://hdl.handle.net/11094/27568
言語	日本語
カテゴリ	博士論文本文あり / 工学研究科 / 2012年度
カテゴリ	博士論文 / 工学研究科 / 2012年度

著者版フラグ	ETD
NII資源タイプ	学位論文
ローカル資源タイプ	博士論文本文あり
ローカル資源タイプ	博士論文
dcmi資源タイプ	text
DC.title	第一原理計算による半導体・絶縁体界面の研究
DC.creator	齊藤, 正一朗
DC.language" scheme="DCTERMS.RFC1766	日本語
DC.identifier" scheme="DCTERMS.URI	http://hdl.handle.net/11094/27568
DC.subject	第一原理計算
	半導体
	Ge
	SiC
DCTERMS.issued" scheme="DCTERMS.W3CDTF	2013-03-25
citation_title	第一原理計算による半導体・絶縁体界面の研究
citation_author	齊藤, 正一朗
citation_language	日本語
citation_public_url	http://hdl.handle.net/11094/27568
citation_keywords	第一原理計算
	半導体
	Ge
	SiC
citation_date	2013-03-25