固定URL: https://hdl.handle.net/11094/27584

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ファイル	フォーマット	利用条件	サイズ	閲覧回数	利用開始日	説明	information
26232_Abstract	pdf	なし	3.58 MB	99	2017.02.22	要旨/Abstract
26232_Dissertation	pdf	なし	29.0 MB	834	2014.04.15	論文/Dissertation

論文情報

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タイトル	希薄窒化物および希薄磁性化合物半導体の結晶成長と物性評価
	キハク　チッカブツ　オヨビ　キハク　ジセイ　カゴウブツ　ハンドウタイ　ノ　ケッショウ　セイチョウ　ト　ブッセイ　ヒョウカ
著者	著者名 東, 晃太朗 ; ヒガシ, コウタロウ
学位名	博士（工学）
学位授与年月日	2013-03-25
学位授与機関	大阪大学
研究科	工学
専攻	電気電子情報工学
学位授与番号	甲第16446号
学位記番号	26232
言語	日本語
ハンドルURL	https://hdl.handle.net/11094/27584
アクセス権	open access
出版タイプ	Version of Record
カテゴリ	博士論文 本文あり / 工学研究科 / 2012年度
	博士論文 / 工学研究科 / 2012年度

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