高周波GaAs系ヘテロ接合電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハのMOVPE成長技術に関する研究

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ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
23365_要旨	pdf	347 KB	48	要旨/Abstract
23365_論文	pdf	13.8 MB	1,721	論文/Dissertation

タイトル	高周波GaAs系ヘテロ接合電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハのMOVPE成長技術に関する研究
タイトル (ヨミ)	コウシュウハ　GaAsケイ　ヘテロ　セツゴウ　デンカイ　コウカ　トランジスタヨウ　エピタキシャルウェハ　ノ　MOVPE　セイチョウ　ギジュツ　ニ　カンスル　ケンキュウ
著者	坂口, 春典坂口, 春典
著者 (ヨミ)	サカグチ, ハルノリ
著者所属研究科	工学
専攻	マテリアル生産科学
学位名	博士（工学）
学位授与年月日	2009-09-25
学位授与機関	大阪大学
学位授与番号	14401甲第13816号
学位記番号	23365
URL	http://hdl.handle.net/11094/27626
言語	日本語
カテゴリ	博士論文本文あり / 工学研究科 / 2009年度
カテゴリ	博士論文 / 工学研究科 / 2009年度

著者版フラグ	ETD
NII資源タイプ	学位論文
ローカル資源タイプ	博士論文本文あり
ローカル資源タイプ	博士論文
dcmi資源タイプ	text
DC.title	高周波GaAs系ヘテロ接合電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハのMOVPE成長技術に関する研究
DC.creator	坂口, 春典
DC.language" scheme="DCTERMS.RFC1766	日本語
DC.identifier" scheme="DCTERMS.URI	http://hdl.handle.net/11094/27626
DCTERMS.issued" scheme="DCTERMS.W3CDTF	2009-09-25
citation_title	高周波GaAs系ヘテロ接合電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハのMOVPE成長技術に関する研究
citation_author	坂口, 春典
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citation_date	2009-09-25