サイクロトロン共鳴におけるCarrier散乱機構の研究－ゲルマニュームとシリコンにおける格子散乱と中性不純物散乱による半値幅について－

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ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	利用開始日	説明
00465_Abstract	pdf	164 KB	69	2014.05.08	要旨/Abstract

タイトル	サイクロトロン共鳴におけるCarrier散乱機構の研究－ゲルマニュームとシリコンにおける格子散乱と中性不純物散乱による半値幅について－
著者	著者名深井, 正一フカイ, マサカズ
学位名	理学博士
学位授与年月日	1963-12-11
学位授与機関	大阪大学
学位授与番号	[不明]
学位記番号	00465
ハンドルURL	https://hdl.handle.net/11094/28645
アクセス権	open access
カテゴリ	博士論文 / その他 / 1963年度
注記	著者からインターネット公開の許諾が得られていないため、論文の要旨のみを公開しています。全文のご利用をご希望の場合は、大阪大学の博士論文についてをご参照ください。
注記	Only the abstract of the doctoral thesis, instead of the full text, is available because consent from the author has not been obtained. If you would like to read the full text, please refer to Doctoral Theses of Osaka University.

資源タイプ	博士論文
ローカル資源タイプ	博士論文
DCMI資源タイプ	text
DC.title	サイクロトロン共鳴におけるCarrier散乱機構の研究－ゲルマニュームとシリコンにおける格子散乱と中性不純物散乱による半値幅について－
DC.creator	深井, 正一
DC.creator	フカイ, マサカズ
DC.type' scheme='DCTERMS.DCMIType	text
DCTERMS.issued' scheme='DCTERMS.W3CDTF	1963-12-11
DC.format	application/pdf
citation_title	サイクロトロン共鳴におけるCarrier散乱機構の研究－ゲルマニュームとシリコンにおける格子散乱と中性不純物散乱による半値幅について－
citation_author	深井, 正一
citation_author	フカイ, マサカズ
citation_public_url	https://hdl.handle.net/11094/28645
citation_date	1963-12-11