サイクロトロン共鳴におけるCarrier散乱機構の研究－ゲルマニュームとシリコンにおける格子散乱と中性不純物散乱による半値幅について－

深井, 正一

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00465_Abstract pdf なし 164 KB 161 2014.05.08 要旨/Abstract  

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タイトル
サイクロトロン共鳴におけるCarrier散乱機構の研究－ゲルマニュームとシリコンにおける格子散乱と中性不純物散乱による半値幅について－
著者
著者名
深井, 正一 ; フカイ, マサカズ
学位名
理学博士
学位授与年月日
1963-12-11
学位授与機関
大阪大学
学位授与番号
[不明]
学位記番号
00465
ハンドルURL
https://hdl.handle.net/11094/28645
アクセス権
open access
カテゴリ
博士論文 / その他 / 1963年度
注記
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