ゲルマニウムおよびシリコンにおける音響型フォノン散乱によるサイクロトロン共鳴吸収線の幅

伊藤, 良一

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01249_Abstract pdf なし 190 KB 138 2014.05.15 要旨/Abstract  

論文情報

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タイトル
ゲルマニウムおよびシリコンにおける音響型フォノン散乱によるサイクロトロン共鳴吸収線の幅
著者
著者名
伊藤, 良一 ; イトウ, リョウイチ
学位名
理学博士
学位授与年月日
1967-06-12
学位授与機関
大阪大学
学位授与番号
乙第00443号
学位記番号
01249
ハンドルURL
https://hdl.handle.net/11094/29494
アクセス権
open access
カテゴリ
博士論文 / その他 / 1967年度
注記
著者からインターネット公開の許諾が得られていないため、論文の要旨のみを公開しています。全文のご利用をご希望の場合は、大阪大学の博士論文についてをご参照ください。
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