ゲルマニウムおよびシリコンにおける音響型フォノン散乱によるサイクロトロン共鳴吸収線の幅

このアイテムのアクセス数:28件（2018-10-17 06:16 集計）

このアイテムへのリンクには次のURLをご利用ください:http://hdl.handle.net/11094/29494

ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
01249_要旨	pdf	190 KB	49	要旨/Abstract

タイトル	ゲルマニウムおよびシリコンにおける音響型フォノン散乱によるサイクロトロン共鳴吸収線の幅
著者	伊藤, 良一伊藤, 良一
著者 (ヨミ)	イトウ, リョウイチ
学位名	理学博士
学位授与年月日	1967-06-12
学位授与機関	大阪大学
学位授与番号	14401乙第00443号
学位記番号	01249
URL	http://hdl.handle.net/11094/29494

著者版フラグ	none
NII資源タイプ	学位論文
ローカル資源タイプ	博士論文
dcmi資源タイプ	text
DC.title	ゲルマニウムおよびシリコンにおける音響型フォノン散乱によるサイクロトロン共鳴吸収線の幅
DC.creator	伊藤, 良一
DC.identifier" scheme="DCTERMS.URI	http://hdl.handle.net/11094/29494
DCTERMS.issued" scheme="DCTERMS.W3CDTF	1967-06-12
citation_title	ゲルマニウムおよびシリコンにおける音響型フォノン散乱によるサイクロトロン共鳴吸収線の幅
citation_author	伊藤, 良一
citation_public_url	http://hdl.handle.net/11094/29494
citation_date	1967-06-12