InGa AsP四元混晶半導体の結晶成長とその光電物性に関する研究

山添, 良光

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05307_Abstract pdf なし 137 KB 342 2014.05.26 要旨/Abstract  

論文情報

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タイトル
InGa AsP四元混晶半導体の結晶成長とその光電物性に関する研究
著者
著者名
山添, 良光 ; ヤマゾエ, ヨシミツ
学位名
工学博士
学位授与年月日
1981-03-25
学位授与機関
大阪大学
研究科
基礎工学
専攻
物理系
学位授与番号
甲第02695号
学位記番号
05307
ハンドルURL
https://hdl.handle.net/11094/32820
アクセス権
open access
カテゴリ
博士論文 / 基礎工学研究科 / 1980年度
注記
著者からインターネット公開の許諾が得られていないため、論文の要旨のみを公開しています。全文のご利用をご希望の場合は、大阪大学の博士論文についてをご参照ください。
Only the abstract of the doctoral thesis, instead of the full text, is available because consent from the author has not been obtained. If you would like to read the full text, please refer to Doctoral Theses of Osaka University.