ピコ秒・ナノ秒レーザー分光によるGaAsの高密度電子・正孔プラズマの研究

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ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
05119_要旨	pdf	174 KB	61	要旨/Abstract

タイトル	ピコ秒・ナノ秒レーザー分光によるGaAsの高密度電子・正孔プラズマの研究
著者	田中, 省作田中, 省作
著者 (ヨミ)	タナカ, ショウサク
学位名	理学博士
学位授与年月日	1980-12-19
学位授与機関	大阪大学
学位授与番号	14401乙第02544号
学位記番号	05119
URL	http://hdl.handle.net/11094/32888

著者版フラグ	none
NII資源タイプ	学位論文
ローカル資源タイプ	博士論文
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DC.title	ピコ秒・ナノ秒レーザー分光によるGaAsの高密度電子・正孔プラズマの研究
DC.creator	田中, 省作
DC.identifier" scheme="DCTERMS.URI	http://hdl.handle.net/11094/32888
DCTERMS.issued" scheme="DCTERMS.W3CDTF	1980-12-19
citation_title	ピコ秒・ナノ秒レーザー分光によるGaAsの高密度電子・正孔プラズマの研究
citation_author	田中, 省作
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citation_date	1980-12-19