低速イオン散乱分光法によるSi（111）表面上の金属薄膜成長初期過程に関する研究

斉藤, 光親

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05672_Abstract pdf なし 161 KB 104 2014.05.26 要旨/Abstract  

論文情報

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タイトル
低速イオン散乱分光法によるSi（111）表面上の金属薄膜成長初期過程に関する研究
著者
著者名
斉藤, 光親 ; サイトウ, ミツチカ
学位名
工学博士
学位授与年月日
1982-03-25
学位授与機関
大阪大学
研究科
工学
専攻
電子工学
学位授与番号
甲第02822号
学位記番号
05672
ハンドルURL
https://hdl.handle.net/11094/33207
アクセス権
open access
カテゴリ
博士論文 / 工学研究科 / 1981年度
注記
著者からインターネット公開の許諾が得られていないため、論文の要旨のみを公開しています。全文のご利用をご希望の場合は、大阪大学の博士論文についてをご参照ください。
Only the abstract of the doctoral thesis, instead of the full text, is available because consent from the author has not been obtained. If you would like to read the full text, please refer to Doctoral Theses of Osaka University.