Tunneling-assisted thermalization and recombination of nonequilibrium carriers in localized states : Application to the frequency-resolved drift mobility in amorphous silicon

Hattori, K.; Hirao, T.; Musa, Y. et al.

PHYSICAL REVIEW B, 2001, 64(12), 125208-1-125208-15

アクセス数:655件（2025-11-02 22:09 集計）

固定URL: https://hdl.handle.net/11094/3339

閲覧可能ファイル 

ファイル フォーマット 利用条件 サイズ 閲覧回数 利用開始日 説明 information
prb_64_12_125208 pdf なし 236 KB 450 2012.09.22  

論文情報

ファイル出力 EndNote Basic出力 Mendeley出力

タイトル
Tunneling-assisted thermalization and recombination of nonequilibrium carriers in localized states : Application to the frequency-resolved drift mobility in amorphous silicon
著者
NRID
1000080228486 1000080228486
researchmap permalink
read0013739 read0013739
著者名
Hattori, K.
著者名
Hirao, T.
著者名
Musa, Y.
NRID
1000090144443 1000090144443
著者名
Okamoto, H.
出版者
The American Physical Society
収録物名
PHYSICAL REVIEW B
巻(号)
64(12)
ページ
125208-1-125208-15
刊行年月
2001-09-10
言語
英語
ハンドルURL
https://hdl.handle.net/11094/3339
PISSN
01631829
NCID
AA00362255
関連情報 (isIdenticalTo)
DOI (出版社版)
https://doi.org/10.1103/physrevb.64.125208
アクセス権
open access
権利情報
Hattori, K., Hirao, T., Musa, Y., Okamoto, H., Physical Review B, 64, 12, 125208, 2001-09-10. "Copyright 2001 by the American Physical Society."
出版タイプ
Version of Record
カテゴリ
学術雑誌論文 Journal Article