液相エピタキシャル法による量子井戸層の成長および評価と半導体レーザへの応用に関する研究

佐々井, 洋一

アクセス数:178件（2025-06-06 23:01 集計）

固定URL: https://hdl.handle.net/11094/35847

ファイル	フォーマット	利用条件	サイズ	閲覧回数	利用開始日	説明	information
07917_Abstract	pdf	なし	208 KB	218	2014.05.29	要旨/Abstract

タイトル	液相エピタキシャル法による量子井戸層の成長および評価と半導体レーザへの応用に関する研究
著者	著者名佐々井, 洋一 ; ササイ, ヨウイチ
学位名	工学博士
学位授与年月日	1987-11-30
学位授与機関	大阪大学
学位授与番号	乙第04284号
学位記番号	07917
ハンドルURL	https://hdl.handle.net/11094/35847
アクセス権	open access
カテゴリ	博士論文 / その他 / 1987年度
注記	著者からインターネット公開の許諾が得られていないため、論文の要旨のみを公開しています。全文のご利用をご希望の場合は、大阪大学の博士論文についてをご参照ください。
注記	Only the abstract of the doctoral thesis, instead of the full text, is available because consent from the author has not been obtained. If you would like to read the full text, please refer to Doctoral Theses of Osaka University.

資源タイプ	博士論文
ローカル資源タイプ	博士論文
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DCTERMS.bibliographicCitation	大阪大学, 1987, 博士論文
DC.title	液相エピタキシャル法による量子井戸層の成長および評価と半導体レーザへの応用に関する研究
DC.creator	佐々井, 洋一
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