Ⅲ－Ⅴ族化合物半導体の光学的性質と量子井戸レーザへの応用に関する研究

湯浅, 図南雄

アクセス数:77件（2025-05-19 05:10 集計）

固定URL: https://hdl.handle.net/11094/36559

閲覧可能ファイル 

ファイル フォーマット 利用条件 サイズ 閲覧回数 利用開始日 説明 information
08530_Abstract pdf なし 193 KB 101 2014.06.05 要旨/Abstract  

論文情報

ファイル出力 EndNote Basic出力 Mendeley出力

タイトル
Ⅲ－Ⅴ族化合物半導体の光学的性質と量子井戸レーザへの応用に関する研究
著者
著者名
湯浅, 図南雄 ; ユアサ, トナオ
学位名
工学博士
学位授与年月日
1989-03-15
学位授与機関
大阪大学
学位授与番号
乙第04710号
学位記番号
08530
ハンドルURL
https://hdl.handle.net/11094/36559
アクセス権
open access
カテゴリ
博士論文 / その他 / 1988年度
注記
著者からインターネット公開の許諾が得られていないため、論文の要旨のみを公開しています。全文のご利用をご希望の場合は、大阪大学の博士論文についてをご参照ください。
Only the abstract of the doctoral thesis, instead of the full text, is available because consent from the author has not been obtained. If you would like to read the full text, please refer to Doctoral Theses of Osaka University.