高速イオン散乱法による超伝導薄膜および半導体表面の構造に関する研究

このアイテムのアクセス数:29件（2018-08-17 05:50 集計）

このアイテムへのリンクには次のURLをご利用ください:http://hdl.handle.net/11094/36995

ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
09177_要旨	pdf	200 KB	21	要旨/Abstract

タイトル	高速イオン散乱法による超伝導薄膜および半導体表面の構造に関する研究
著者	綿森, 道夫綿森, 道夫
著者 (ヨミ)	ワタモリ, ミチオ
著者所属研究科	工学
専攻	電子工学
学位名	工学博士
学位授与年月日	1990-03-24
学位授与機関	大阪大学
学位授与番号	14401甲第04159号
学位記番号	09177
URL	http://hdl.handle.net/11094/36995

著者版フラグ	none
NII資源タイプ	学位論文
ローカル資源タイプ	博士論文
dcmi資源タイプ	text
DC.title	高速イオン散乱法による超伝導薄膜および半導体表面の構造に関する研究
DC.creator	綿森, 道夫
DC.identifier" scheme="DCTERMS.URI	http://hdl.handle.net/11094/36995
DCTERMS.issued" scheme="DCTERMS.W3CDTF	1990-03-24
citation_title	高速イオン散乱法による超伝導薄膜および半導体表面の構造に関する研究
citation_author	綿森, 道夫
citation_public_url	http://hdl.handle.net/11094/36995
citation_date	1990-03-24