ECRプラズマCVD法による低圧・低温下での大面積ダイヤモンド薄膜の合成に関する研究

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ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
09738_要旨	pdf	192 KB	63	要旨/Abstract

タイトル	ECRプラズマCVD法による低圧・低温下での大面積ダイヤモンド薄膜の合成に関する研究
著者	魏, 津魏, 津
著者 (ヨミ)	ウ, エイジン
著者所属研究科	工学
専攻	電気工学
学位名	工学博士
学位授与年月日	1991-03-26
学位授与機関	大阪大学
学位授与番号	14401甲第04344号
学位記番号	09738
URL	http://hdl.handle.net/11094/37261

著者版フラグ	none
NII資源タイプ	学位論文
ローカル資源タイプ	博士論文
dcmi資源タイプ	text
DC.title	ECRプラズマCVD法による低圧・低温下での大面積ダイヤモンド薄膜の合成に関する研究
DC.creator	魏, 津
DC.identifier" scheme="DCTERMS.URI	http://hdl.handle.net/11094/37261
DCTERMS.issued" scheme="DCTERMS.W3CDTF	1991-03-26
citation_title	ECRプラズマCVD法による低圧・低温下での大面積ダイヤモンド薄膜の合成に関する研究
citation_author	魏, 津
citation_public_url	http://hdl.handle.net/11094/37261
citation_date	1991-03-26