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jwri36_02_051
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200
論文情報
タイトル
Formation of SiO₂ Scale in High-Temperature Oxidation of Wsi₂
著者
Kurokawa, Kazuya
Kurokawa, Kazuya
Shibayama, Akiko
Shibayama, Akiko
Kobayashi, Akira
Kobayashi, Akira
キーワード等
WSi₂
High-Temperature Oxidation
Evaporation of WO₃
Structure of Oxide Scale
SiO₂ Scale
抄録
In order to clarify the relationship between evaporation of WO₃ and formation of a SiO₂ scale in WSi₂, high temperature oxidation tests of WSi₂ were carried out at the temperature range from 773 to 1773 K in air. The pronounced effect of the evaporation of WO₃ on the structure of oxide scale was found at temperatures higher than 1273 K, and a protective SiO₂ scale was formed above 1573 K. The requisite evaporation rate and the vapor pressure of WO₃ for the formation of a protective SiO₂ scale were estimated to be about 10⁻⁴kgm⁻²s⁻¹ and 10 Pa, respectively.
公開者
大阪大学接合科学研究所
公開者の別表記
Joining and Welding Research Institute, Osaka University
公開者 (ヨミ)
オオサカ ダイガク セツゴウ カガク ケンキュウジョ
掲載誌名
Transactions of JWRI
巻
36
号
2
開始ページ
51
終了ページ
55
刊行年月
2007-12
ISSN
03874508
NCID
AA00867058
URL
http://hdl.handle.net/11094/3766
言語
英語
カテゴリ
紀要論文 Departmental Bulletin Paper
Transactions of JWRI / Vol.36 No.2 (2007-12)
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著者版フラグ
publisher
NII資源タイプ
紀要論文
ローカル資源タイプ
紀要論文
dcmi資源タイプ
text
DCTERMS.bibliographicCitation
Transactions of JWRI.36(2) P.51-P.55
DC.title
Formation of SiO₂ Scale in High-Temperature Oxidation of Wsi₂
DC.creator
Kurokawa, Kazuya
Shibayama, Akiko
Kobayashi, Akira
DC.publisher
大阪大学接合科学研究所
DC.language" scheme="DCTERMS.RFC1766
英語
DCTERMS.issued" scheme="DCTERMS.W3CDTF
2007-12
DC.identifier" scheme="DCTERMS.URI
http://hdl.handle.net/11094/3766
DC.subject
WSi₂
High-Temperature Oxidation
Evaporation of WO₃
Structure of Oxide Scale
SiO₂ Scale
DCTERMS.abstract
In order to clarify the relationship between evaporation of WO₃ and formation of a SiO₂ scale in WSi₂, high temperature oxidation tests of WSi₂ were carried out at the temperature range from 773 to 1773 K in air. The pronounced effect of the evaporation of WO₃ on the structure of oxide scale was found at temperatures higher than 1273 K, and a protective SiO₂ scale was formed above 1573 K. The requisite evaporation rate and the vapor pressure of WO₃ for the formation of a protective SiO₂ scale were estimated to be about 10⁻⁴kgm⁻²s⁻¹ and 10 Pa, respectively.
citation_title
Formation of SiO₂ Scale in High-Temperature Oxidation of Wsi₂
citation_author
Kurokawa, Kazuya
Shibayama, Akiko
Kobayashi, Akira
citation_publisher
大阪大学接合科学研究所
citation_language
英語
citation_date
2007-12
citation_journal_title
Transactions of JWRI
citation_volume
36
citation_issue
2
citation_firstpage
51
citation_lastpage
55
citation_issn
03874508
citation_public_url
http://hdl.handle.net/11094/3766
citation_keywords
WSi₂
High-Temperature Oxidation
Evaporation of WO₃
Structure of Oxide Scale
SiO₂ Scale