VLSIプロセスにおけるコンタクト界面反応、および耐熱性コンタクト形成方法に関する研究

小川, 真一

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10406_Abstract pdf なし 128 KB 546 2014.06.06 要旨/Abstract  

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タイトル
VLSIプロセスにおけるコンタクト界面反応、および耐熱性コンタクト形成方法に関する研究
著者
著者名
小川, 真一 ; オガワ, シンイチ
学位名
博士（工学）
学位授与年月日
1992-09-22
学位授与機関
大阪大学
学位授与番号
乙第05798号
学位記番号
10406
ハンドルURL
https://hdl.handle.net/11094/38362
アクセス権
open access
カテゴリ
博士論文 / その他 / 1992年度
注記
著者からインターネット公開の許諾が得られていないため、論文の要旨のみを公開しています。全文のご利用をご希望の場合は、大阪大学の博士論文についてをご参照ください。
Only the abstract of the doctoral thesis, instead of the full text, is available because consent from the author has not been obtained. If you would like to read the full text, please refer to Doctoral Theses of Osaka University.