Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体のエピタキシャル成長素過程の研究

山口, 浩司

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11034_Abstract pdf なし 139 KB 206 2014.06.06 要旨/Abstract  

論文情報

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タイトル
Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体のエピタキシャル成長素過程の研究
著者
NRID
1000060374071 1000060374071
著者名
山口, 浩司 ; ヤマグチ, ヒロシ
学位名
博士（工学）
学位授与年月日
1993-12-24
学位授与機関
大阪大学
学位授与番号
乙第06160号
学位記番号
11034
ハンドルURL
https://hdl.handle.net/11094/38585
アクセス権
open access
カテゴリ
博士論文 / その他 / 1993年度
注記
著者からインターネット公開の許諾が得られていないため、論文の要旨のみを公開しています。全文のご利用をご希望の場合は、大阪大学の博士論文についてをご参照ください。
Only the abstract of the doctoral thesis, instead of the full text, is available because consent from the author has not been obtained. If you would like to read the full text, please refer to Doctoral Theses of Osaka University.