Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体のエピタキシャル成長素過程の研究

このアイテムのアクセス数:30件（2018-05-26 03:14 集計）

このアイテムへのリンクには次のURLをご利用ください:http://hdl.handle.net/11094/38585

ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
11034_要旨	pdf	139 KB	59	要旨/Abstract

タイトル	Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体のエピタキシャル成長素過程の研究
著者	山口, 浩司山口, 浩司
著者 (ヨミ)	ヤマグチ, ヒロシ
学位名	博士（工学）
学位授与年月日	1993-12-24
学位授与機関	大阪大学
学位授与番号	14401乙第06160号
学位記番号	11034
URL	http://hdl.handle.net/11094/38585

著者版フラグ	none
NII資源タイプ	学位論文
ローカル資源タイプ	博士論文
dcmi資源タイプ	text
DC.title	Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体のエピタキシャル成長素過程の研究
DC.creator	山口, 浩司
DC.identifier" scheme="DCTERMS.URI	http://hdl.handle.net/11094/38585
DCTERMS.issued" scheme="DCTERMS.W3CDTF	1993-12-24
citation_title	Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体のエピタキシャル成長素過程の研究
citation_author	山口, 浩司
citation_public_url	http://hdl.handle.net/11094/38585
citation_date	1993-12-24