マイクロプローブRHEED法によるGaAs MBE成長中のGa原子の表面拡散に関する研究

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ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
11078_要旨	pdf	138 KB	42	要旨/Abstract

タイトル	マイクロプローブRHEED法によるGaAs MBE成長中のGa原子の表面拡散に関する研究
著者	畑, 雅幸畑, 雅幸
著者 (ヨミ)	ハタ, マサユキ
学位名	博士（工学）
学位授与年月日	1994-02-01
学位授与機関	大阪大学
学位授与番号	14401乙第06202号
学位記番号	11078
URL	http://hdl.handle.net/11094/38656

著者版フラグ	none
NII資源タイプ	学位論文
ローカル資源タイプ	博士論文
dcmi資源タイプ	text
DC.title	マイクロプローブRHEED法によるGaAs MBE成長中のGa原子の表面拡散に関する研究
DC.creator	畑, 雅幸
DC.identifier" scheme="DCTERMS.URI	http://hdl.handle.net/11094/38656
DCTERMS.issued" scheme="DCTERMS.W3CDTF	1994-02-01
citation_title	マイクロプローブRHEED法によるGaAs MBE成長中のGa原子の表面拡散に関する研究
citation_author	畑, 雅幸
citation_public_url	http://hdl.handle.net/11094/38656
citation_date	1994-02-01