GaAs-AlGaAs ヘテロ接合界面内の低次元電子系に於ける素励起に関する理論的研究

熊田, 聖也

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12479_Abstract pdf なし 134 KB 132 2014.06.18 要旨/Abstract  

論文情報

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タイトル
GaAs-AlGaAs ヘテロ接合界面内の低次元電子系に於ける素励起に関する理論的研究
著者
著者名
熊田, 聖也 ; クマダ, セイヤ
学位名
博士（工学）
学位授与年月日
1996-03-25
学位授与機関
大阪大学
研究科
工学
専攻
応用物理学
学位授与番号
甲第05582号
学位記番号
12479
ハンドルURL
https://hdl.handle.net/11094/39747
アクセス権
open access
カテゴリ
博士論文 / 工学研究科 / 1995年度
注記
著者からインターネット公開の許諾が得られていないため、論文の要旨のみを公開しています。全文のご利用をご希望の場合は、大阪大学の博士論文についてをご参照ください。
Only the abstract of the doctoral thesis, instead of the full text, is available because consent from the author has not been obtained. If you would like to read the full text, please refer to Doctoral Theses of Osaka University.