GaAsのイオン注入・活性化技術とIC作製プロセスに関する研究

田村, 彰良

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12781_Abstract pdf なし 140 KB 140 2014.06.18 要旨/Abstract  

論文情報

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タイトル
GaAsのイオン注入・活性化技術とIC作製プロセスに関する研究
著者
著者名
田村, 彰良 ; タムラ, アキヨシ
学位名
博士（工学）
学位授与年月日
1997-01-16
学位授与機関
大阪大学
学位授与番号
乙第07082号
学位記番号
12781
ハンドルURL
https://hdl.handle.net/11094/40465
アクセス権
open access
カテゴリ
博士論文 / その他 / 1996年度
注記
著者からインターネット公開の許諾が得られていないため、論文の要旨のみを公開しています。全文のご利用をご希望の場合は、大阪大学の博士論文についてをご参照ください。
Only the abstract of the doctoral thesis, instead of the full text, is available because consent from the author has not been obtained. If you would like to read the full text, please refer to Doctoral Theses of Osaka University.