GaAsのイオン注入・活性化技術とIC作製プロセスに関する研究

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ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
12781_要旨	pdf	140 KB	62	要旨/Abstract

タイトル	GaAsのイオン注入・活性化技術とIC作製プロセスに関する研究
著者	田村, 彰良田村, 彰良
著者 (ヨミ)	タムラ, アキヨシ
学位名	博士（工学）
学位授与年月日	1997-01-16
学位授与機関	大阪大学
学位授与番号	14401乙第07082号
学位記番号	12781
URL	http://hdl.handle.net/11094/40465
カテゴリ	博士論文 / その他 / 1996年度

著者版フラグ	none
NII資源タイプ	学位論文
ローカル資源タイプ	博士論文
dcmi資源タイプ	text
DC.title	GaAsのイオン注入・活性化技術とIC作製プロセスに関する研究
DC.creator	田村, 彰良
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DCTERMS.issued" scheme="DCTERMS.W3CDTF	1997-01-16
citation_title	GaAsのイオン注入・活性化技術とIC作製プロセスに関する研究
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citation_public_url	http://hdl.handle.net/11094/40465
citation_date	1997-01-16