GaAs/AlGaAs resonant tunneling diodes with (411) A super-flat interfaces grown by molecular beam epitaxy

篠原, 啓介

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13942_Abstract pdf なし 171 KB 169 2014.06.20 要旨/Abstract  

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タイトル
GaAs/AlGaAs resonant tunneling diodes with (411) A super-flat interfaces grown by molecular beam epitaxy
MBE成長による(411) A超平坦ヘテロ界面を有するGaAs/AlGaAs共鳴トンネルダイオード
著者
著者名
篠原, 啓介 ; シノハラ, ケイスケ
学位名
博士（工学）
学位授与年月日
1998-03-25
学位授与機関
大阪大学
研究科
基礎工学
専攻
物理系
学位授与番号
甲第06473号
学位記番号
13942
ハンドルURL
https://hdl.handle.net/11094/40650
アクセス権
open access
カテゴリ
博士論文 / 基礎工学研究科 / 1997年度
注記
著者からインターネット公開の許諾が得られていないため、論文の要旨のみを公開しています。全文のご利用をご希望の場合は、大阪大学の博士論文についてをご参照ください。
Only the abstract of the doctoral thesis, instead of the full text, is available because consent from the author has not been obtained. If you would like to read the full text, please refer to Doctoral Theses of Osaka University.