Self-organized InGaAs quantum wires grown on (775)B-oriented GaAs substrate by molecular beam epitaxy and 0.85-μm emitting quantum wire lasers.

大野, 恭秀

アクセス数:107件（2025-04-22 21:22 集計）

固定URL: https://hdl.handle.net/11094/43563

ファイル	フォーマット	利用条件	サイズ	閲覧回数	利用開始日	説明	information
17127_Abstract	pdf	なし	172 KB	93	2014.06.23	要旨/Abstract

タイトル	Self-organized InGaAs quantum wires grown on (775)B-oriented GaAs substrate by molecular beam epitaxy and 0.85-μm emitting quantum wire lasers.
タイトル	(775)B　GaAs基板上にMBE成長した自己形成型InGaAs量子細線構造と0.85μm帯量子細線レーザへの応用
著者	著者名大野, 恭秀 ; オオノ, ヤスヒデ
学位名	博士（工学）
学位授与年月日	2002-03-25
学位授与機関	大阪大学
研究科	基礎工学
専攻	物理系
学位授与番号	甲第08676号
学位記番号	17127
ハンドルURL	https://hdl.handle.net/11094/43563
アクセス権	open access
カテゴリ	博士論文 / 基礎工学研究科 / 2001年度
注記	著者からインターネット公開の許諾が得られていないため、論文の要旨のみを公開しています。全文のご利用をご希望の場合は、大阪大学の博士論文についてをご参照ください。
注記	Only the abstract of the doctoral thesis, instead of the full text, is available because consent from the author has not been obtained. If you would like to read the full text, please refer to Doctoral Theses of Osaka University.

資源タイプ	博士論文
ローカル資源タイプ	博士論文
DCMI資源タイプ	text
DCTERMS.bibliographicCitation	大阪大学, 2002, 博士論文
DC.title	Self-organized InGaAs quantum wires grown on (775)B-oriented GaAs substrate by molecular beam epitaxy and 0.85-μm emitting quantum wire lasers.
DC.title	(775)B　GaAs基板上にMBE成長した自己形成型InGaAs量子細線構造と0.85μm帯量子細線レーザへの応用
DC.creator	大野, 恭秀
DC.creator	オオノ, ヤスヒデ
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DCTERMS.issued' scheme='DCTERMS.W3CDTF	2002-03-25
DC.format	43563
citation_title	Self-organized InGaAs quantum wires grown on (775)B-oriented GaAs substrate by molecular beam epitaxy and 0.85-μm emitting quantum wire lasers.
citation_author	大野, 恭秀
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citation_date	2002-03-25