Study on Dielectric Breakdown Mechanisms of Gate Oxides in Silicon MOSFETs

岡田, 健治

アクセス数:170件（2025-04-26 12:40 集計）

固定URL: https://hdl.handle.net/11094/44298

ファイル	フォーマット	利用条件	サイズ	閲覧回数	利用開始日	説明	information
17897_Abstract	pdf	なし	164 KB	238	2014.06.23	要旨/Abstract

タイトル	Study on Dielectric Breakdown Mechanisms of Gate Oxides in Silicon MOSFETs
タイトル	シリコンMOSFETにおけるゲート酸化膜の絶縁破壊機構に関する研究
著者	著者名岡田, 健治 ; オカダ, ケンジ
学位名	博士（工学）
学位授与年月日	2003-03-25
学位授与機関	大阪大学
研究科	工学
専攻	電子情報エネルギー工学
学位授与番号	甲第09263号
学位記番号	17897
ハンドルURL	https://hdl.handle.net/11094/44298
アクセス権	open access
カテゴリ	博士論文 / 工学研究科 / 2002年度
注記	著者からインターネット公開の許諾が得られていないため、論文の要旨のみを公開しています。全文のご利用をご希望の場合は、大阪大学の博士論文についてをご参照ください。
注記	Only the abstract of the doctoral thesis, instead of the full text, is available because consent from the author has not been obtained. If you would like to read the full text, please refer to Doctoral Theses of Osaka University.

資源タイプ	博士論文
ローカル資源タイプ	博士論文
DCMI資源タイプ	text
DCTERMS.bibliographicCitation	大阪大学, 2003, 博士論文
DC.title	Study on Dielectric Breakdown Mechanisms of Gate Oxides in Silicon MOSFETs
DC.title	シリコンMOSFETにおけるゲート酸化膜の絶縁破壊機構に関する研究
DC.creator	岡田, 健治
DC.creator	オカダ, ケンジ
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DCTERMS.issued' scheme='DCTERMS.W3CDTF	2003-03-25
DC.format	44298
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