酸化物半導体デバイスのためのZnO薄膜成長とそのp型伝導制御に関する研究

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ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
18795_要旨	pdf	136 KB	222	要旨/Abstract

タイトル	酸化物半導体デバイスのためのZnO薄膜成長とそのp型伝導制御に関する研究
著者	矢田, 茂郎矢田, 茂郎
著者 (ヨミ)	ヤタ, シゲオ
著者所属研究科	基礎工学
専攻	物理系
学位名	博士（工学）
学位授与年月日	2004-03-25
学位授与機関	大阪大学
学位授与番号	14401甲第09946号
学位記番号	18795
URL	http://hdl.handle.net/11094/45053
カテゴリ	博士論文 / 基礎工学研究科 / 2003年度

著者版フラグ	none
NII資源タイプ	学位論文
ローカル資源タイプ	博士論文
dcmi資源タイプ	text
DC.title	酸化物半導体デバイスのためのZnO薄膜成長とそのp型伝導制御に関する研究
DC.creator	矢田, 茂郎
DC.identifier" scheme="DCTERMS.URI	http://hdl.handle.net/11094/45053
DCTERMS.issued" scheme="DCTERMS.W3CDTF	2004-03-25
citation_title	酸化物半導体デバイスのためのZnO薄膜成長とそのp型伝導制御に関する研究
citation_author	矢田, 茂郎
citation_public_url	http://hdl.handle.net/11094/45053
citation_date	2004-03-25