酸化物半導体デバイスのためのZnO薄膜成長とそのp型伝導制御に関する研究

矢田, 茂郎

アクセス数:141件（2025-06-16 12:17 集計）

固定URL: https://hdl.handle.net/11094/45053

閲覧可能ファイル 

ファイル フォーマット 利用条件 サイズ 閲覧回数 利用開始日 説明 information
18795_Abstract pdf なし 136 KB 355 2014.06.23 要旨/Abstract  

論文情報

ファイル出力 EndNote Basic出力 Mendeley出力

タイトル
酸化物半導体デバイスのためのZnO薄膜成長とそのp型伝導制御に関する研究
著者
著者名
矢田, 茂郎 ; ヤタ, シゲオ
学位名
博士（工学）
学位授与年月日
2004-03-25
学位授与機関
大阪大学
研究科
基礎工学
専攻
物理系
学位授与番号
甲第09946号
学位記番号
18795
ハンドルURL
https://hdl.handle.net/11094/45053
アクセス権
open access
カテゴリ
博士論文 / 基礎工学研究科 / 2003年度
注記
著者からインターネット公開の許諾が得られていないため、論文の要旨のみを公開しています。全文のご利用をご希望の場合は、大阪大学の博士論文についてをご参照ください。
Only the abstract of the doctoral thesis, instead of the full text, is available because consent from the author has not been obtained. If you would like to read the full text, please refer to Doctoral Theses of Osaka University.