Low Temperature Formation of Insulating Layers for Si and SiC-based Metal-Insulator-Semiconductor Structure

任, 星淳

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固定URL: https://hdl.handle.net/11094/47624

ファイル	フォーマット	利用条件	サイズ	閲覧回数	利用開始日	説明	information
20671_Abstract	pdf	なし	151 KB	238	2014.08.07	要旨/Abstract

タイトル	Low Temperature Formation of Insulating Layers for Si and SiC-based Metal-Insulator-Semiconductor Structure
タイトル	Si及び SiC基板を用いる MIS構造のための絶縁膜の低温創製
著者	著者名任, 星淳 ; イム, ソンスン
学位名	博士（理学）
学位授与年月日	2006-09-27
学位授与機関	大阪大学
研究科	理学
専攻	化学
学位授与番号	甲第11427号
学位記番号	20671
ハンドルURL	https://hdl.handle.net/11094/47624
アクセス権	open access
カテゴリ	博士論文 / 理学研究科 / 2006年度
注記	著者からインターネット公開の許諾が得られていないため、論文の要旨のみを公開しています。全文のご利用をご希望の場合は、大阪大学の博士論文についてをご参照ください。
注記	Only the abstract of the doctoral thesis, instead of the full text, is available because consent from the author has not been obtained. If you would like to read the full text, please refer to Doctoral Theses of Osaka University.

資源タイプ	博士論文
ローカル資源タイプ	博士論文
DCMI資源タイプ	text
DCTERMS.bibliographicCitation	大阪大学, 2006, 博士論文
DC.title	Low Temperature Formation of Insulating Layers for Si and SiC-based Metal-Insulator-Semiconductor Structure
DC.title	Si及び SiC基板を用いる MIS構造のための絶縁膜の低温創製
DC.creator	任, 星淳
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DCTERMS.issued' scheme='DCTERMS.W3CDTF	2006-09-27
DC.format	47624
citation_title	Low Temperature Formation of Insulating Layers for Si and SiC-based Metal-Insulator-Semiconductor Structure
citation_author	任, 星淳
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citation_date	2006-09-27