半導体デバイス用高誘電率ゲート絶縁膜およびフルシリサイドメタルゲート電極に関する研究

間部, 謙三

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20687_Abstract pdf なし 149 KB 262 2014.08.19 要旨/Abstract  

論文情報

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タイトル
半導体デバイス用高誘電率ゲート絶縁膜およびフルシリサイドメタルゲート電極に関する研究
著者
著者名
間部, 謙三 ; マナベ, ケンゾウ
学位名
博士（工学）
学位授与年月日
2006-09-27
学位授与機関
大阪大学
研究科
工学
専攻
精密科学
学位授与番号
甲第11443号
学位記番号
20687
ハンドルURL
https://hdl.handle.net/11094/48561
アクセス権
open access
カテゴリ
博士論文 / 工学研究科 / 2006年度
注記
著者からインターネット公開の許諾が得られていないため、論文の要旨のみを公開しています。全文のご利用をご希望の場合は、大阪大学の博士論文についてをご参照ください。
Only the abstract of the doctoral thesis, instead of the full text, is available because consent from the author has not been obtained. If you would like to read the full text, please refer to Doctoral Theses of Osaka University.