Electrical Characterization of HfO2/Ge Structure Prepared by Photo-Assisted Metal-Organic Chemical Vapor Deposition

Lee, Hyun

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23016_Abstract pdf なし 717 KB 104 2014.08.27 要旨/Abstract  

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タイトル
Electrical Characterization of HfO2/Ge Structure Prepared by Photo-Assisted Metal-Organic Chemical Vapor Deposition
光-MOCVDを用いたHfO2/Geの構造の作製と電気的特性評価
著者
著者名
Lee, Hyun ; イ, ヒョン
学位名
博士（工学）
学位授与年月日
2009-03-24
学位授与機関
大阪大学
研究科
基礎工学
専攻
システム創成
学位授与番号
甲第13505号
学位記番号
23016
ハンドルURL
https://hdl.handle.net/11094/49598
アクセス権
open access
カテゴリ
博士論文 / 基礎工学研究科 / 2008年度
注記
著者からインターネット公開の許諾が得られていないため、論文の要旨のみを公開しています。全文のご利用をご希望の場合は、大阪大学の博士論文についてをご参照ください。
Only the abstract of the doctoral thesis, instead of the full text, is available because consent from the author has not been obtained. If you would like to read the full text, please refer to Doctoral Theses of Osaka University.