Ion-Desorption and Photoemission Studies of NO, O2 and K Adsorbed Si(Ⅲ) Surfaces

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固定URL: https://doi.org/10.11501/3075136

ファイル	フォーマット	利用条件	サイズ	閲覧回数	利用開始日	説明	information
11415_Abstract	pdf	なし	135 KB	119	2014.06.09	要旨/Abstract
11415_Dissertation	pdf	なし	7.23 MB	130	2012.09.22	論文/Dissertation

タイトル	Ion-Desorption and Photoemission Studies of NO, O2 and K Adsorbed Si(Ⅲ) Surfaces
	イオン脱離と光電子分光によるNO, O2, K 吸着 Si(111) 表面の研究
	イオンリダツトコウデンシブンコウニヨル NO O2 K キュウチャク Si(Ⅲ) ヒョウメンノケンキュウ
著者	NRID 1000070261542 1000070261542 ORCID 0000-0001-9507-6435 0000-0001-9507-6435 researchmap permalink read0184558 read0184558 Scopus Author ID 7403538529 7403538529 著者名坂本, 一之 ; サカモト, カズユキ ; Sakamoto, Kazuyuki
学位名	博士（理学）
学位授与年月日	1994-03-25
学位授与機関	大阪大学
研究科	基礎工学
専攻	物理系
学位授与番号	甲第05097号
学位記番号	11415
言語	英語
ハンドルURL	https://hdl.handle.net/11094/504
DOI	https://doi.org/10.11501/3075136
アクセス権	open access
出版タイプ	Version of Record
カテゴリ	博士論文本文あり / 基礎工学研究科 / 1993年度
カテゴリ	博士論文 / 基礎工学研究科 / 1993年度

資源タイプ	博士論文
ローカル資源タイプ	博士論文本文あり
ローカル資源タイプ	博士論文
DCMI資源タイプ	text
DCTERMS.bibliographicCitation	大阪大学, 1994, 博士論文
DC.title	Ion-Desorption and Photoemission Studies of NO, O2 and K Adsorbed Si(Ⅲ) Surfaces
	イオン脱離と光電子分光によるNO, O2, K 吸着 Si(111) 表面の研究
	イオンリダツトコウデンシブンコウニヨル NO O2 K キュウチャク Si(Ⅲ) ヒョウメンノケンキュウ
DC.creator	坂本, 一之
	サカモト, カズユキ
	Sakamoto, Kazuyuki
DC.language' scheme='DCTERMS.RFC1766	英語
DC.type' scheme='DCTERMS.DCMIType	text
DCTERMS.issued' scheme='DCTERMS.W3CDTF	1994-03-25
DC.identifier	10.11501/3075136
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citation_title	Ion-Desorption and Photoemission Studies of NO, O2 and K Adsorbed Si(Ⅲ) Surfaces
	イオン脱離と光電子分光によるNO, O2, K 吸着 Si(111) 表面の研究
	イオンリダツトコウデンシブンコウニヨル NO O2 K キュウチャク Si(Ⅲ) ヒョウメンノケンキュウ
citation_author	坂本, 一之
	サカモト, カズユキ
	Sakamoto, Kazuyuki
citation_language	英語
citation_public_url	https://hdl.handle.net/11094/504
citation_date	1994-03-25
citation_doi_detail	10.11501/3075136
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