ポリSi TFTの過渡特性における自己発熱及びキンク効果の影響の分離評価

多田, 憲史; 廣瀬, 哲也; 松岡, 俊匡 他

電子情報通信学会論文誌C, 2004, J87-C(1), 186-187

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タイトル
ポリSi TFTの過渡特性における自己発熱及びキンク効果の影響の分離評価
Separation of Self-Heating and Kink Effects on Transient Characteristics of Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors
ポリ　Si TFT　ノ　カト　トクセイ　二　オケル　ジコ　ハツネツ　オヨビ　キンク　コウカ　ノ　エイキョウ　ノ　ブンリ　ヒョウカ
著者
著者名
多田, 憲史 ; タダ, ケンシ ; Tada, Kenshi
NRID
1000070396315 1000070396315
researchmap permalink
hirose_tetsuya hirose_tetsuya
Scopus Author ID
9272478400 9272478400
ORCID
0000-0003-1997-5097 0000-0003-1997-5097
著者名
廣瀬, 哲也 ; ヒロセ, テツヤ ; Hirose, Tetsuya
NRID
1000080324820 1000080324820
ORCID
0000-0003-3876-2679 0000-0003-3876-2679
researchmap permalink
read0068628 read0068628
Scopus Author ID
7402741552 7402741552
著者名
松岡, 俊匡 ; マツオカ, トシマサ ; Matsuoka, Toshimasa
NRID
1000020192180 1000020192180
著者名
谷口, 研二 ; タニグチ, ケンジ ; Taniguchi, Kenji
著者名
前田, 和宏 ; マエダ, カズヒロ ; Maeda, Kazuhiro
著者名
酒井, 保 ; サカイ, タモツ ; Sakai, Tamotsu
著者名
久保田, 靖 ; クボタ, ヤスシ ; Kubota, Yasushi
著者名
今井, 繁規 ; イマイ, シゲキ ; Imai, Shigeki
キーワード等
TFT
過渡応答
自己発熱効果
インパクトイオン化現象
キンク効果
抄録
ポリSi TFTのドレーンパルスに対する過渡応答の実測評価より，自己発熱効果による温度上昇と，インパクトイオン化現象による正孔の発生に伴うキンク効果がそれぞれ過渡特性を説明する主要なメカニズムであることを確認した．
出版者
電子情報通信学会
The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers
デンシ　ジョウホウ　ツウシン　ガッカイ
収録物名
電子情報通信学会論文誌C
巻(号)
J87-C(1)
ページ
186-187
刊行年月
2004-01
言語
日本語
ハンドルURL
https://hdl.handle.net/11094/51677
PISSN
13452827
NCID
AA11412446
関連情報 (references)
URI
https://search.ieice.org/
アクセス権
open access
権利情報
copyright©2004 IEICE
出版タイプ
Version of Record
カテゴリ
学術雑誌論文 Journal Article