Threshold Voltage Mismatch of FD-SOI MOSFETs

Shimizu, Yoshiyuki; Matsuoka, Toshimasa; Taniguchi, Kenji

IEICE Transactions on Electronics, 2004, E87-C(6), 1013-1014

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IEICE TRANSACTIONS_E87-C_6_1013 pdf なし 134 KB 305 2015.05.28  

論文情報

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タイトル
Threshold Voltage Mismatch of FD-SOI MOSFETs
著者
著者名
Shimizu, Yoshiyuki
NRID
1000080324820 1000080324820
ORCID
0000-0003-3876-2679 0000-0003-3876-2679
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Scopus Author ID
7402741552 7402741552
著者名
Matsuoka, Toshimasa
NRID
1000020192180 1000020192180
著者名
Taniguchi, Kenji
キーワード等
threshold voltage
FD-SOI
floating body effect
DIBL
抄録
The threshold voltage mismatch of FD (Fully depleted) SOI (Silicon on insulator) devices have been studied. Floating body MOSFETs operating at high drain voltage show a large mismatch in the threshold voltage compared with body-tied MOSFETs. Those experimental data under different drain voltages indicate that both floating body effect and DIBL (Drain induced barrier lowering) are involved in the threshold voltage mismatch of floating body MOSFETs.
出版者
電子情報通信学会
The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers
デンシ　ジョウホウ　ツウシン　ガッカイ
収録物名
IEICE Transactions on Electronics
巻(号)
E87-C(6)
ページ
1013-1014
刊行年月
2004-06
言語
英語
ハンドルURL
https://hdl.handle.net/11094/51685
PISSN
09168516
NCID
AA10826261
関連情報 (references)
URI
https://search.ieice.org/
アクセス権
open access
権利情報
copyright©2004 IEICE
出版タイプ
Version of Record
カテゴリ
学術雑誌論文 Journal Article