Ohmic Contact Formation of Gallium Nitride and Electrical Properties Improvement

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固定URL: https://doi.org/10.18910/55936

ファイル	フォーマット	利用条件	サイズ	閲覧回数	利用開始日	説明	information
28356_Dissertation	pdf	なし	4.52 MB	248	2016.04.26
28356_Abstract	pdf	なし	360 KB	574	2016.04.26

タイトル	Ohmic Contact Formation of Gallium Nitride and Electrical Properties Improvement
	窒化ガリウムのオーミックコンタクト形成並びにその電気特性改善
	チッカガリウムノオーミックコンタクトケイセイナラビニソノデンキトクセイカイゼン
著者	著者名 Aiman Bin, Mohd Halil ; アイマンビン, モハマドハリル
学位名	博士（工学）
学位授与年月日	2016-03-28
学位授与機関	大阪大学
研究科	工学
専攻	マテリアル生産科学
学位授与番号	甲第18430号
学位記番号	28356
言語	英語
ハンドルURL	https://hdl.handle.net/11094/55936
DOI	https://doi.org/10.18910/55936
アクセス権	open access
出版タイプ	Version of Record
カテゴリ	博士論文本文あり / 工学研究科 / 2015年度
カテゴリ	博士論文 / 工学研究科 / 2015年度

資源タイプ	博士論文
ローカル資源タイプ	博士論文本文あり
ローカル資源タイプ	博士論文
DCMI資源タイプ	text
DCTERMS.bibliographicCitation	大阪大学, 2016, 博士論文
DC.title	Ohmic Contact Formation of Gallium Nitride and Electrical Properties Improvement
	窒化ガリウムのオーミックコンタクト形成並びにその電気特性改善
	チッカガリウムノオーミックコンタクトケイセイナラビニソノデンキトクセイカイゼン
DC.creator	Aiman Bin, Mohd Halil
DC.creator	アイマンビン, モハマドハリル
DC.language' scheme='DCTERMS.RFC1766	英語
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DCTERMS.issued' scheme='DCTERMS.W3CDTF	2016-03-28
DC.identifier	10.18910/55936
DC.format	application/pdf
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citation_title	Ohmic Contact Formation of Gallium Nitride and Electrical Properties Improvement
	窒化ガリウムのオーミックコンタクト形成並びにその電気特性改善
	チッカガリウムノオーミックコンタクトケイセイナラビニソノデンキトクセイカイゼン
citation_author	Aiman Bin, Mohd Halil
citation_author	アイマンビン, モハマドハリル
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citation_public_url	https://hdl.handle.net/11094/55936
citation_date	2016-03-28
citation_doi_detail	10.18910/55936
citation_doi	https://doi.org/10.18910/55936