低転位GaN基板の開発とEu添加GaNエピタキシャル成長への応用

笠井, 仁

アクセス数:104件（2025-07-02 02:28 集計）

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23814_Abstract pdf なし 296 KB 78 2016.08.18 要旨/Abstract  

論文情報

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タイトル
低転位GaN基板の開発とEu添加GaNエピタキシャル成長への応用
著者
著者名
笠井, 仁 ; カサイ, ヒトシ
学位名
博士（工学）
学位授与年月日
2010-03-23
学位授与機関
大阪大学
研究科
工学
専攻
マテリアル生産科学
学位授与番号
甲第14233号
学位記番号
23814
ハンドルURL
https://hdl.handle.net/11094/57565
アクセス権
open access
カテゴリ
博士論文 / 工学研究科 / 2009年度
注記
著者からインターネット公開の許諾が得られていないため、論文の要旨のみを公開しています。全文のご利用をご希望の場合は、大阪大学の博士論文についてをご参照ください。
Only the abstract of the doctoral thesis, instead of the full text, is available because consent from the author has not been obtained. If you would like to read the full text, please refer to Doctoral Theses of Osaka University.