Amorphous Hydrogenated Silicon Film Deposited by Reactive Electron Cyclotron Resonance Plasma(Physics, Process, Instruments & Measurements)

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ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
jwri21_01_023	pdf	405 KB	27

タイトル	Amorphous Hydrogenated Silicon Film Deposited by Reactive Electron Cyclotron Resonance Plasma(Physics, Process, Instruments & Measurements)
著者	CHEN, Wei CHEN, Wei
	MIYAKE, Shoji MIYAKE, Shoji
	ARIYASU, Tomio ARIYASU, Tomio
公開者	大阪大学溶接工学研究所
公開者の別表記	Welding Research Institute Osaka University
公開者 (ヨミ)	オオサカダイガクヨウセツコウガクケンキュウジョ
掲載誌名	Transactions of JWRI
巻	21
号	1
開始ページ	23
終了ページ	28
刊行年月	1992-06
ISSN	03874508
NCID	AA00867058
URL	http://hdl.handle.net/11094/5795
関連情報 (isversionof)	http://ci.nii.ac.jp/naid/110006486971
権利情報	本文データはCiNiiから複製したものである
言語	英語

著者版フラグ	publisher
NII資源タイプ	紀要論文
ローカル資源タイプ	紀要論文
dcmi資源タイプ	text
DCTERMS.bibliographicCitation	Transactions of JWRI.21(1) P.23-P.28
DC.title	Amorphous Hydrogenated Silicon Film Deposited by Reactive Electron Cyclotron Resonance Plasma(Physics, Process, Instruments & Measurements)
DC.creator	CHEN, Wei
	MIYAKE, Shoji
	ARIYASU, Tomio
DC.publisher	大阪大学溶接工学研究所
DC.language" scheme="DCTERMS.RFC1766	英語
DCTERMS.issued" scheme="DCTERMS.W3CDTF	1992-06
DC.identifier" scheme="DCTERMS.URI	http://hdl.handle.net/11094/5795
DC.rights	本文データはCiNiiから複製したものである
citation_title	Amorphous Hydrogenated Silicon Film Deposited by Reactive Electron Cyclotron Resonance Plasma(Physics, Process, Instruments & Measurements)
citation_author	CHEN, Wei
	MIYAKE, Shoji
	ARIYASU, Tomio
citation_publisher	大阪大学溶接工学研究所
citation_language	英語
citation_date	1992-06
citation_journal_title	Transactions of JWRI
citation_volume	21
citation_issue	1
citation_firstpage	23
citation_lastpage	28
citation_issn	03874508
citation_public_url	http://hdl.handle.net/11094/5795