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2022-06-30
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jwri21_01_023
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30
論文情報
タイトル
Amorphous Hydrogenated Silicon Film Deposited by Reactive Electron Cyclotron Resonance Plasma(Physics, Process, Instruments & Measurements)
著者
Chen, Wei
Chen, Wei
Miyake, Shoji
Miyake, Shoji
Ariyasu, Tomio
Ariyasu, Tomio
公開者
大阪大学溶接工学研究所
公開者の別表記
Welding Research Institute Osaka University
公開者 (ヨミ)
オオサカ ダイガク ヨウセツ コウガク ケンキュウジョ
掲載誌名
Transactions of JWRI
巻
21
号
1
開始ページ
23
終了ページ
28
刊行年月
1992-06
ISSN
03874508
NCID
AA00867058
URL
http://hdl.handle.net/11094/5795
関連情報 (isversionof)
http://ci.nii.ac.jp/naid/110006486971
権利情報
本文データはCiNiiから複製したものである
言語
英語
カテゴリ
紀要論文 Departmental Bulletin Paper
Transactions of JWRI / Vol.21 No.1 (1992-06)
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著者版フラグ
publisher
NII資源タイプ
紀要論文
ローカル資源タイプ
紀要論文
dcmi資源タイプ
text
DCTERMS.bibliographicCitation
Transactions of JWRI.21(1) P.23-P.28
DC.title
Amorphous Hydrogenated Silicon Film Deposited by Reactive Electron Cyclotron Resonance Plasma(Physics, Process, Instruments & Measurements)
DC.creator
Chen, Wei
Miyake, Shoji
Ariyasu, Tomio
DC.publisher
大阪大学溶接工学研究所
DC.language" scheme="DCTERMS.RFC1766
英語
DCTERMS.issued" scheme="DCTERMS.W3CDTF
1992-06
DC.identifier" scheme="DCTERMS.URI
http://hdl.handle.net/11094/5795
DC.rights
本文データはCiNiiから複製したものである
citation_title
Amorphous Hydrogenated Silicon Film Deposited by Reactive Electron Cyclotron Resonance Plasma(Physics, Process, Instruments & Measurements)
citation_author
Chen, Wei
Miyake, Shoji
Ariyasu, Tomio
citation_publisher
大阪大学溶接工学研究所
citation_language
英語
citation_date
1992-06
citation_journal_title
Transactions of JWRI
citation_volume
21
citation_issue
1
citation_firstpage
23
citation_lastpage
28
citation_issn
03874508
citation_public_url
http://hdl.handle.net/11094/5795